Resultados: 35
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
803En existencias
₡2 722,03
₡1 785,20
₡1 332,39
₡1 113,80
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
3 350En existencias
Cinta cortada
₡1 701,92
₡1 113,80
₡952,45
₡843,15
₡817,13
Envase tipo carrete
₡801,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
3En existencias
480Se espera el 24/12/2026
₡2 284,84
₡1 493,74
₡1 113,80
₡931,63
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
545En existencias
₡1 894,49
₡1 233,50
₡863,97
₡723,45
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
411En existencias
₡1 171,05
₡744,27
₡501,21
₡405,44
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 540 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
1 971En existencias
Cinta cortada
₡926,43
₡439,27
₡391,91
₡308,64
Envase tipo carrete
₡252,43
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
666En existencias
₡1 707,13
₡1 108,59
₡765,08
₡634,97
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 Ohms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
970En existencias
₡1 457,30
₡765,08
₡645,38
₡520,47
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
471En existencias
₡3 471,50
₡2 274,43
₡1 707,13
₡1 446,89
₡1 379,23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
377En existencias
₡3 195,66
₡2 092,27
₡1 540,58
₡1 363,62
₡1 223,09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
760En existencias
₡2 576,30
₡1 691,51
₡1 259,53
₡942,04
₡921,22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
500En existencias
₡2 930,22
₡1 920,52
₡1 431,28
₡1 197,07
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Hoja de datos
4 907En existencias
Cinta cortada
₡2 201,57
₡1 119,00
₡1 014,91
₡848,36
Envase tipo carrete
₡796,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 160 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
424En existencias
₡5 948,92
₡4 205,36
₡3 507,94
₡3 117,59
₡2 956,24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
1 882En existencias
₡5 964,53
₡3 830,63
₡3 507,94
₡3 081,16
₡2 956,24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
873En existencias
₡3 148,82
₡1 613,44
₡1 478,12
₡1 446,89
₡1 285,55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
341En existencias
₡2 545,08
₡1 280,34
₡978,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Hoja de datos
30En existencias
₡2 019,41
₡1 316,78
₡957,66
₡801,52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Hoja de datos
990En existencias
₡2 071,45
₡1 072,16
₡973,27
₡785,90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
Hoja de datos
443En existencias
₡1 597,83
₡796,31
₡733,86
₡572,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
409En existencias
₡1 457,30
₡942,04
₡645,38
₡520,47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
Hoja de datos
1 038En existencias
2 500Se espera el 11/2/2027
Cinta cortada
₡1 129,41
₡713,04
₡483,51
₡391,91
Envase tipo carrete
₡328,41
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 380 mOhms 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
514En existencias
₡3 622,44
₡2 373,32
₡1 748,76
₡1 550,99
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
263En existencias
₡2 930,22
₡1 920,52
₡1 431,28
₡1 082,57
₡1 051,34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
181En existencias
₡3 695,30
₡2 472,21
₡1 988,18
₡1 764,38
₡1 571,81
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube