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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
99En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
1 000Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
474Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
500Se espera el 18/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
Plazo de entrega 9 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 342 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube