Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R040C7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2EDF9275FXUMA1
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R075CFD7XTMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU95R3K7P7AKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB020N10N5LFATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
BSC093N15NS5ATMA1
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726-BSC093N15NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
16 420 En existencias
14 000 Se espera el 27/5/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
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726-IPT015N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
23 444 En existencias
24 000 Se espera el 24/9/2026
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
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1 427 En existencias
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726-IPB048N15N5LF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1 427 En existencias
15 000 En pedido
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1 427 Se puede enviar inmediatamente
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6 000 Se espera el 24/9/2026
9 000 Se espera el 1/10/2026
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8 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 949,63
428 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
428 En existencias
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3 681 En existencias
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₡884,79
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1 900
Detalles
Conversores CA/DC COOLSET
ICE5QSAGXUMA1
Infineon Technologies
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2 724 En existencias
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726-ICE5QSAGXUMA1
Infineon Technologies
Conversores CA/DC COOLSET
2 724 En existencias
1
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2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 981,56
2 487 En existencias
7 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
2 487 En existencias
7 000 En pedido
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2 487 Se puede enviar inmediatamente
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4 000 Se espera el 28/1/2027
3 000 Se espera el 4/2/2027
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28 Semanas
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1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3
Infineon Technologies
1:
₡3 648,46
847 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
847 En existencias
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1
₡3 648,46
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₡1 779,99
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₡1 540,58
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2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 580,80
778 En existencias
10 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
778 En existencias
10 000 En pedido
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778 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6 000 Se espera el 3/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡3 580,80
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2 000
₡1 561,40
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡5 038,11
985 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
985 En existencias
1
₡5 038,11
10
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₡2 430,57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡5 350,38
577 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
577 En existencias
1
₡5 350,38
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡11 455,44
681 En existencias
720 Se espera el 12/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
681 En existencias
720 Se espera el 12/11/2026
1
₡11 455,44
10
₡7 067,92
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 485,71
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
707 En existencias
1
₡5 485,71
10
₡2 977,06
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₡2 862,56
1 200
₡2 722,03
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Min.: 1
Mult.: 1
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