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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
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300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Littelfuse Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
Hoja de datos
7 200Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA22N65X2 TRL
Hoja de datos
1 600Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
Hoja de datos
1 850Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
810Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
270Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
350Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
1 320Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 44A
Hoja de datos
300Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 850V 4A N-CH XCLASS
Hoja de datos
1 610Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 350
Mult.: 70

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id48 BVdass500
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V/20A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 450
Mult.: 450

Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 40A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Rectificadores 200 Amps 400V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 100
Mult.: 10

IXYS Rectificadores 60 Amps 300V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Rectificadores 60 Amps 600V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 100
Mult.: 10

IXYS Rectificadores 8 Amps 600V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA12N65X2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA20N85XHV TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA34N65X2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800