MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 118
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
₡17 263,84
₡12 418,30
₡11 824,97
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2 784En existencias
Cinta cortada
₡1 452,10
₡718,24
₡634,97
₡515,78
₡476,23
Envase tipo carrete
₡433,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3 711En existencias
Cinta cortada
₡1 816,42
₡921,22
₡811,93
₡676,61
Envase tipo carrete
₡624,56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 5 474En existencias
Cinta cortada
₡2 118,29
₡1 077,36
₡978,47
₡811,93
Envase tipo carrete
₡759,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack 800En existencias
₡4 632,14
₡2 467,01
₡2 274,43
₡2 113,09
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 9 440En existencias
Cinta cortada
₡921,22
₡466,86
₡392,43
₡310,20
Envase tipo carrete
₡265,96
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 877En existencias
1 000Se espera el 16/4/2027
Cinta cortada
₡3 278,93
₡1 733,15
₡1 582,21
₡1 535,37
Envase tipo carrete
₡1 374,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2 950En existencias
₡1 186,66
₡681,81
₡506,93
₡410,65
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack 829En existencias
₡3 950,33
₡2 123,50
₡2 061,04
₡1 785,20
₡1 727,95
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package 1 792En existencias
Cinta cortada
₡1 452,10
₡718,24
₡645,38
₡518,38
Envase tipo carrete
₡458,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 2 824En existencias
₡1 082,57
₡488,72
₡372,65
₡321,13
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 3 041En existencias
Cinta cortada
₡1 212,68
₡588,13
₡479,35
₡402,84
Envase tipo carrete
₡362,76
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package 1 811En existencias
₡2 102,68
₡1 082,57
₡983,68
₡822,34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 3En existencias
1 000Se espera el 23/4/2027
₡1 582,21
₡1 009,70
₡713,04
₡614,15
₡536,08
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H 343En existencias
Cinta cortada
₡1 348,01
₡853,56
₡577,72
₡466,34
₡417,93
Envase tipo carrete
₡375,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 765En existencias
Cinta cortada
₡1 217,89
₡697,42
₡551,69
₡498,61
Envase tipo carrete
₡325,29
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 954En existencias
₡2 009,00
₡1 014,91
₡921,22
₡749,47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 772En existencias
₡1 639,47
₡785,90
₡713,04
₡593,33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1 847En existencias
₡1 009,70
₡482,99
₡431,47
₡340,90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 967En existencias
₡1 431,28
₡687,01
₡556,90
₡482,47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2 161En existencias
₡1 176,25
₡536,08
₡480,39
₡403,88
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
2 852En existencias
₡895,20
₡464,78
₡361,20
₡293,02
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 1 995En existencias
₡1 077,36
₡516,30
₡462,17
₡366,41
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 966En existencias
₡1 577,01
₡916,02
₡697,42
₡567,31
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 1 726En existencias
₡1 098,18
₡530,87
₡474,14
₡376,30
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3