Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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Resultados: 19

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡10 617,49
173En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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173En existencias

Cinta cortada

₡10 617,49

₡6 771,25

₡6 406,93

Envase tipo carrete

₡6 406,93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

64 A

35 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡3 507,94
1 200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

1 200En existencias

Cinta cortada

₡3 507,94

₡1 863,27

₡1 701,92

Envase tipo carrete

₡1 504,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

97 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.6 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
1: ₡8 317,04
525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N65DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N65DM6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Hoja de datos

525En existencias

₡8 317,04

₡5 516,93

₡4 829,92

₡4 548,87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡1 535,37
2 358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2 358En existencias

Cinta cortada

₡1 535,37

₡780,70

₡681,81

₡556,90

₡513,18

Envase tipo carrete

₡485,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡3 867,06
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

800En existencias

Cinta cortada

₡3 867,06

₡2 139,11

₡1 956,95

₡1 800,81

Envase tipo carrete

₡1 686,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡3 695,30
1 451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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Hoja de datos

1 451En existencias

Cinta cortada

₡3 695,30

₡2 472,21

₡2 107,88

₡1 769,58

₡1 582,21

Envase tipo carrete

₡1 582,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1: ₡8 186,92
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

393En existencias

₡8 186,92

₡5 438,86

₡4 757,05

₡4 470,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡9 451,65
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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45En existencias

Cinta cortada

₡9 451,65

₡6 391,32

₡4 902,78

Envase tipo carrete

₡4 902,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

32 A

89 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡2 446,19
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

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Hoja de datos

803En existencias

₡2 446,19

₡2 107,88

₡1 977,77

₡1 915,31

₡1 717,54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡1 561,40
541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

541En existencias

Cinta cortada

₡1 561,40

₡775,49

₡697,42

₡562,10

₡546,49

Envase tipo carrete

₡502,77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

338 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

15.3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW45N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡4 658,17
312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

312En existencias

₡4 658,17

₡2 487,82

₡2 290,05

₡2 191,16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡4 044,02
340En existencias
1 000Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB41N40DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB41N40DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

340En existencias

1 000Se espera el 28/12/2026

Cinta cortada

₡4 044,02

₡2 175,55

₡1 998,59

₡1 920,52

₡1 816,42

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

41 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STW68N65DM6-4AG
STMicroelectronics
1: ₡7 270,90
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW68N65DM6-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

7En existencias

₡7 270,90

₡4 366,70

₡4 059,63

₡3 799,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

72 A

39 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡3 882,67
1 943Se espera el 2/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB47N50DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N50DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

1 943Se espera el 2/4/2027

Cinta cortada

₡3 882,67

₡2 118,29

₡1 936,13

₡1 733,15

Envase tipo carrete

₡1 634,26

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡4 397,93
1 000Se espera el 29/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

1 000Se espera el 29/1/2027

Cinta cortada

₡4 397,93

₡2 394,14

₡2 196,36

₡2 107,88

Envase tipo carrete

₡1 868,47

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡4 096,06
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STI47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

11En existencias

₡4 096,06

₡2 243,21

₡2 055,84

₡1 753,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

I2PAK-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU36N60DM6AG
STMicroelectronics
600: ₡1 597,83
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STHU36N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU36N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Envase tipo carrete

₡1 597,83

₡1 431,28

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: ₡3 815,01
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Cinta cortada

₡3 815,01

₡2 342,09

₡2 014,20

Envase tipo carrete

₡1 681,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STH30N65DM6-7AG
STMicroelectronics
1 000: ₡1 774,79
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH30N65DM6-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH30N65DM6-7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

₡1 774,79

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

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