200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Resultados: 25
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
22 789En existencias
₡2 061,04
₡1 046,14
₡879,59
₡739,06
₡733,86
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
5 090En existencias
₡1 670,69
₡832,74
₡681,81
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
33 130En existencias
5 600Se espera el 18/3/2027
Cinta cortada
₡1 119,00
₡562,10
₡477,79
₡375,78
Envase tipo carrete
₡330,50
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
17 025En existencias
65 200En pedido
₡1 524,96
₡884,79
₡739,06
₡629,76
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
7 807En existencias
Cinta cortada
₡2 945,83
₡1 540,58
₡1 405,26
₡1 176,25
Envase tipo carrete
₡1 176,25
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
8 893En existencias
5 600Se espera el 29/10/2026
Cinta cortada
₡2 378,53
₡1 223,09
₡1 108,59
₡890,00
Envase tipo carrete
₡890,00
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 400
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2 616En existencias
3 000En pedido
₡2 956,24
₡1 936,13
₡1 426,08
₡1 290,75
₡1 124,21
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
870En existencias
800Se espera el 29/10/2026
₡3 872,26
₡2 076,66
₡1 904,90
₡1 899,70
₡1 717,54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Hoja de datos
412En existencias
1 000Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
₡3 200,86
₡2 097,48
₡1 545,78
₡1 374,03
Envase tipo carrete
₡1 228,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 2 386En existencias
₡3 195,66
₡1 681,10
₡1 566,60
₡1 327,19
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
766En existencias
₡3 091,56
₡1 623,85
₡1 483,33
₡1 472,92
₡1 363,62
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
18 187En existencias
12 000Se espera el 8/7/2027
Cinta cortada
₡395,55
₡178,52
₡157,18
₡119,71
Envase tipo carrete
₡91,60
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
5 993En existencias
4 000En pedido
₡718,24
₡334,66
₡297,19
₡231,09
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
36 467En existencias
8 000Se espera el 30/10/2026
₡1 103,39
₡567,31
₡438,75
₡354,44
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
6 427En existencias
Cinta cortada
₡1 259,53
₡614,15
₡525,67
₡431,47
Ver
Envase tipo carrete
₡375,26
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
4 175En existencias
₡1 722,74
₡905,61
₡770,29
₡624,56
₡457,49
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
8 045En existencias
₡1 415,67
₡697,42
₡624,56
₡501,21
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
6 412En existencias
₡2 045,43
₡1 119,00
₡999,29
₡806,72
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
4 751En existencias
24 000En pedido
Cinta cortada
₡1 410,46
₡697,42
₡582,92
₡501,21
₡491,84
Envase tipo carrete
₡434,59
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
2 008En existencias
1 600Se espera el 12/11/2026
Cinta cortada
₡2 316,07
₡1 191,87
₡1 082,57
₡863,97
Envase tipo carrete
₡863,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
6 001En existencias
Cinta cortada
₡2 409,75
₡1 238,71
₡1 124,21
₡936,84
Envase tipo carrete
₡900,41
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
5 291En existencias
38 400En pedido
Cinta cortada
₡2 014,20
₡1 311,57
₡921,22
₡671,40
Envase tipo carrete
₡671,40
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 7 981En existencias
₡1 982,97
₡1 004,50
₡905,61
₡739,06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
32 489En existencias
9 100Se espera el 29/10/2026
₡4 351,09
₡2 909,40
₡2 342,09
₡2 076,66
₡1 842,45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
748En existencias
2 000Se espera el 13/11/2026
₡2 628,35
₡1 722,74
₡1 285,55
₡1 119,00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube