CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 271En existencias
₡12 470,35
₡7 780,96
₡7 307,33
₡7 218,86
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
240En pedido
₡9 357,97
₡6 927,39
₡5 152,61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS Plazo de entrega 52 Semanas
₡11 824,97
₡8 301,42
₡6 583,89
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS Plazo de entrega 52 Semanas
₡5 985,35
₡3 976,36
₡3 690,10
₡3 445,48
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement