IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

ISSI
870-WVH8M8BL100B1LIT
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Fabricante:

Descripción:
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
FBGA-24
IS66WVH8M8BLL
Reel
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: HyperRAM
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
₡2 279,64 ₡5 699 100,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Embalaje:
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
₡3 487,12
Mín.:
1

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