Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line TVS in SOT323-3L for CAN bus (24 V system)
ESDCAN06-2BWY
STMicroelectronics
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line TVS in SOT323-3L for CAN bus (24 V system)
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Referencias de voltaje Micropower high precision series voltage reference
TS3312ACR
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Referencias de voltaje Micropower high precision series voltage reference
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCHAN Enhance MOSFET
2N7002KW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCHAN Enhance MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan Enhancement Mode Field Effect
2N7002W
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2N7002W
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan Enhancement Mode Field Effect
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Rectificadores y diodos Schottky 30V 200mW
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky 30V 200mW
65 839 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching Diode BVR <= 100V
BAV199WQ-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching Diode BVR <= 100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
DMN2004WK-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMN2004WK-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
DMN3061SWQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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DMN53D0LW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
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DMP2110UW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel .25W
DMP2240UW-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMP2240UW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel .25W
22 422 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) -80V 200mW
MMSTA56-7-F
Diodes Incorporated
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) -80V 200mW
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Rectificadores y diodos Schottky AF SCHOTTKY DIODE
BAS4005WH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky AF SCHOTTKY DIODE
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Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
BAT1504WH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
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Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
BAT6804WH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-BAT6804WH6327XTS
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
8 621 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
BSS209PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
35 410 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-BSS214NWH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-SP000917562
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
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₡27,06
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Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -0.5A Ic -30V UMT3
2SAR502U3T106
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-2SAR502U3T106
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -0.5A Ic -30V UMT3
32 789 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
RRF015P03GTL
ROHM Semiconductor
1:
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14 900 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RRF015P03GTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
14 900 En existencias
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Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 40V 0.2A
UMT3904T106
ROHM Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 755-UMT3904T106
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 40V 0.2A
34 124 En existencias
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Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Standard type
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-DF3A6.8LFULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Standard type
50 486 En existencias
1
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Carrete :3 000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
₡307,07
106 373 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
106 373 En existencias
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Ver
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24 000
₡51,53
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky BAT54AW/SOT323/SC-70
BAT54AW,115
Nexperia
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₡114,50
158 129 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-BAT54AW-T/R
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky BAT54AW/SOT323/SC-70
158 129 En existencias
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1
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10
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Carrete :3 000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC847BW/SOT323/SC-70
BC847BW,115
Nexperia
1:
₡78,07
197 810 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-BC847BW115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC847BW/SOT323/SC-70
197 810 En existencias
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1
₡78,07
10
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₡13,53
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24 000
₡10,41
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
