SOT-363-6 – Mouser Costa Rica

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Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?

PSA2-6+
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139-PSA2-6+

Mini-Circuits

Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?

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₡2 997,88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡478,83
138 084En existencias

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SQ1431EH-T1_GE3

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78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1467DH-T1-E3
Vishay Semiconductors
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92 803En existencias

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SI1467DH-T1-E3

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781-SI1467DH-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6

SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI1416EDH-T1-GE3

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78-SI1416EDH-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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201 463En existencias

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SQ1470AEH-T1_GE3

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₡478,83

₡219,64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
130 679En existencias

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SQ1912AEEH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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181 173En existencias

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SQ1912EH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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127 420En existencias

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SQ1922AEEH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH

NVTJD4001NT1G
onsemi
1: ₡270,64
926 586En existencias

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NVTJD4001NT1G

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863-NVTJD4001NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH

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₡105,65

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Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB

QPA0363ATR7
Qorvo
1: ₡1 165,84
18 668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QPA0363ATR7

N.º de artículo de Mouser
772-QPA0363ATR7

Qorvo

Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB

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₡1 165,84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡452,80
295 656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1421EDH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

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₡107,22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡452,80
308 601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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308 601En existencias

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₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
140 076En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1539EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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140 076En existencias

Cinta cortada

₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

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₡107,22

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Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88

NXS0101GW-Q100H
Nexperia
1: ₡202,98
2 534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXS0101GW-Q100H

N.º de artículo de Mouser
771-NXS0101GW-Q100H

Nexperia

Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88

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2 534En existencias

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₡202,98

₡137,40

₡121,27

₡103,05

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₡79,63

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: 3 000

Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA

UMP11NTN
ROHM Semiconductor
1: ₡353,92
30 433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UMP11NTN

N.º de artículo de Mouser
755-UMP11NTN

ROHM Semiconductor

Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA

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30 433En existencias

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₡353,92

₡199,86

₡133,76

₡106,17

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₡66,62

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A

SI1965DH-T1-BE3
Vishay
1: ₡395,55
135 204En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SI1965DH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1965DH-T1-BE3

Fin de vida útil

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A

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Comentarios de Producto

135 204En existencias

Cinta cortada

₡395,55

₡246,18

₡159,26

₡121,27

₡109,30

Envase tipo carrete

₡82,75

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: 3 000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP3906AYS-Q/SOT363/SC-88

PMP3906AYS-QZ
Nexperia
1: ₡364,33
9 466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMP3906AYS-QZ

N.º de artículo de Mouser
771-PMP3906AYS-QZ

Nexperia

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP3906AYS-Q/SOT363/SC-88

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Hoja de datos

9 466En existencias

Cinta cortada

₡364,33

₡223,80

₡143,65

₡108,78

Envase tipo carrete

₡65,58

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: 10 000

Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN

MUN5231DW1T1G
onsemi
1: ₡135,32
57 611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MUN5231DW1T1G

N.º de artículo de Mouser
863-MUN5231DW1T1G

onsemi

Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN

Hoja de datos

57 611En existencias

Cinta cortada

₡135,32

₡81,71

₡51,01

₡37,47

₡33,31

Envase tipo carrete

₡25,50

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Min.: 1
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: 3 000

Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW

BAS40BRW-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡348,71
32 545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BAS40BRW-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-BAS40BRW-F

Diodes Incorporated

Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW

Hoja de datos

32 545En existencias

Cinta cortada

₡348,71

₡168,11

₡138,96

Envase tipo carrete

₡138,96

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370

: 3 000

Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS

PSA-5454+
Mini-Circuits
1: ₡1 275,14
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSA-5454+

N.º de artículo de Mouser
139-PSA-5454

Mini-Circuits

Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS

Hoja de datos

708En existencias

Cinta cortada

₡1 275,14

₡1 243,91

₡1 202,28

₡1 150,23

Envase tipo carrete

₡1 150,23

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Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW

MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡270,64
35 272En existencias
6 000Se espera el 9/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
MMDT4413-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-MMDT4413-F

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW

Hoja de datos

35 272En existencias

6 000Se espera el 9/4/2027

Cinta cortada

₡270,64

₡119,71

₡105,13

₡77,03

Envase tipo carrete

₡77,03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 950

: 3 000

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G

MCH6001-TL-E
onsemi
1: ₡546,49
6 708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MCH6001-TL-E

N.º de artículo de Mouser
863-MCH6001-TL-E

onsemi

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G

Hoja de datos

6 708En existencias

Cinta cortada

₡546,49

₡336,74

₡189,97

Envase tipo carrete

₡189,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO

NVJD4401NT1G
onsemi
1: ₡489,24
9 854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD4401NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD4401NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO

Hoja de datos

9 854En existencias

Cinta cortada

₡489,24

₡304,99

₡198,30

₡151,98

Envase tipo carrete

₡109,82

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: ₡348,71
138 049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235CH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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138 049En existencias

Cinta cortada

₡348,71

₡240,46

₡152,50

₡94,20

Envase tipo carrete

₡60,37

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1: ₡135,32
138 776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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138 776En existencias

Cinta cortada

₡135,32

₡82,75

₡51,53

₡37,99

Envase tipo carrete

₡22,38

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Mult.: 1

: 3 000

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