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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Atmosic Technologies System on a Chip (SoC) RF ATM34 SoC, 4x4 BGA,93balls, 2.5M NVM SR (Small Reel)
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525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Qorvo Amplificador de RF 2W2-6GHzMMICPA
Hoja de datos
18En existencias
50Se espera el 6/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Hoja de datos
3 518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
3 570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
7 189En existencias
5 000Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
1 906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA
Hoja de datos
1 890En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3 000

CML Micro Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 600
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12
Hoja de datos
350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2 065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207
: 3 000

Infineon Technologies Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12
Hoja de datos
350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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666En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 67
: 800



onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
Hoja de datos
945En existencias
1 500Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245
: 1 500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
828En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83
: 1 500

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1 512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
Pasternack Amplificador de RF 2.5 dB NF, 22 dBm P1dB, 6 GHz to 18 GHz, Low Noise Broadband Amplifier, 38 dB Gain, 30 dBm IP3, SMA
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1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Pasternack Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
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4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
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1 837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
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50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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5 210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000