.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

2.1 V Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 284

Filtros aplicados:

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente = 2.1 V

Fabricante

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 940,63 5 751En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF016N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF016N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	5 751En existencias	Cinta cortada ₡2 940,63 ₡1 535,37 ₡1 400,05 ₡1 186,66 Envase tipo carrete ₡1 186,66 Ver ₡1 181,46 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE DN2625DK6-G Microchip Technology 1: ₡1 743,56 20 063En existencias	N.º de artículo del Fabricante DN2625DK6-G N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G	Microchip Technology	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE	Hoja de datos	20 063En existencias	₡1 743,56 ₡1 452,10 ₡1 311,57	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 055,84 1 524En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB029N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB029N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 524En existencias	Cinta cortada ₡2 055,84 ₡1 040,93 ₡942,04 ₡728,65 Envase tipo carrete ₡728,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 180,04 777En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB013N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB013N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada ₡3 180,04 ₡1 587,42 ₡1 332,39 ₡1 316,78 Envase tipo carrete ₡1 316,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 197,07 2 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD029N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD029N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2 943En existencias	Cinta cortada ₡1 197,07 ₡582,92 ₡519,94 ₡414,29 ₡389,31 Envase tipo carrete ₡349,75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS TPWR6003PL,L1Q Toshiba 1: ₡2 414,96 16 623En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPWR6003PL,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPWR6003PLL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba u mosix h mosfets	Hoja de datos	16 623En existencias	Cinta cortada ₡2 414,96 ₡1 243,91 ₡1 129,41 ₡968,07 Ver Envase tipo carrete ₡910,81 ₡947,25 ₡910,81 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 966,65 2 047En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB015N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB015N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2 047En existencias	Cinta cortada ₡2 966,65 ₡1 550,99 ₡1 415,67 ₡1 202,28 Envase tipo carrete ₡1 202,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 285,55 30 450En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD380P06NMATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD380P06NMATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 12v 250v p channel mosfets	Hoja de datos	30 450En existencias	Cinta cortada ₡1 285,55 ₡660,99 ₡546,49 ₡463,73 ₡436,15 Envase tipo carrete ₡413,25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 441,69 3 328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD038N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3 328En existencias	Cinta cortada ₡1 441,69 ₡707,83 ₡640,17 ₡511,62 ₡496,00 Envase tipo carrete ₡451,24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 IPD025N06N Infineon Technologies 1: ₡1 800,81 12 616En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD025N06N N.º de artículo de Mouser 726-IPD025N06N	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2	Hoja de datos	12 616En existencias	Cinta cortada ₡1 800,81 ₡1 171,05 ₡822,34 ₡692,22 ₡640,17 Envase tipo carrete ₡598,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 367,41 770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF012N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	770En existencias	Cinta cortada ₡3 367,41 ₡1 701,92 ₡1 431,28 ₡1 420,87 Envase tipo carrete ₡1 420,87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 SPW55N80C3 Infineon Technologies 1: ₡9 035,28 426En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPW55N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW55N80C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3	Hoja de datos	426En existencias	₡9 035,28 ₡6 880,55 ₡5 735,53 ₡5 105,77 ₡4 835,12	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 415,67 1 665En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 665En existencias	₡1 415,67 ₡754,67 ₡681,81 ₡546,49 Ver ₡515,78 ₡513,18 ₡488,20	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies 1: ₡8 556,45 244En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPW55N80C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW55N80C3FKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	244En existencias	₡8 556,45 ₡4 861,15 ₡4 835,12	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 097,48 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF009N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF009N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	943En existencias	Cinta cortada ₡2 097,48 ₡1 066,95 ₡962,86 ₡749,47 Envase tipo carrete ₡749,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated 1: ₡1 061,75 8 646En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMP3008SFGQ-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMP3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes automotive mosfets	Hoja de datos	8 646En existencias	Cinta cortada ₡1 061,75 ₡519,94 ₡431,47 ₡382,02 ₡355,48 Envase tipo carrete ₡276,89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD SISF00DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡1 269,94 14 665En existencias	N.º de artículo del Fabricante SISF00DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISF00DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Hoja de datos	14 665En existencias	Cinta cortada ₡1 269,94 ₡619,35 ₡556,90 ₡442,40 ₡427,82 Envase tipo carrete ₡374,21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 305,66 1 495En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB026N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1 495En existencias	Cinta cortada ₡2 305,66 ₡1 181,46 ₡1 072,16 ₡905,61 Envase tipo carrete ₡853,56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 400,05 8 552En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8 552En existencias	₡1 400,05 ₡687,01 ₡619,35 ₡493,92 Ver ₡454,89 ₡433,03	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated 1: ₡208,19 155 802En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMP3099LQ-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMP3099LQ-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes automotive mosfets	Hoja de datos	155 802En existencias	Cinta cortada ₡208,19 ₡91,08 ₡79,63 ₡68,18 ₡59,33 Envase tipo carrete ₡43,20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 717,54 6 224En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD025N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD025N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6 224En existencias	Cinta cortada ₡1 717,54 ₡895,20 ₡749,47 ₡640,17 ₡608,94 Envase tipo carrete ₡598,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 263,32 3 392En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC007N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-TC007N06NM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3 392En existencias	Cinta cortada ₡3 263,32 ₡1 712,33 ₡1 561,40 ₡1 410,46 ₡1 259,53 Envase tipo carrete ₡1 259,53	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D PSMN029-100HLX Nexperia 1: ₡1 264,73 3 344En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMN029-100HLX N.º de artículo de Mouser 771-PSMN029-100HLX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D Obtenga más información sobre Nexperia psmn029 mosfet	Hoja de datos	3 344En existencias	Cinta cortada ₡1 264,73 ₡837,95 ₡624,56 ₡503,81 Envase tipo carrete ₡364,85 Ver ₡365,37 ₡352,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D PSMN6R1-40HLX Nexperia 1: ₡1 145,02 13 468En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMN6R1-40HLX N.º de artículo de Mouser 771-PSMN6R1-40HLX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D Obtenga más información sobre Nexperia psmn6R1 mosfets	Hoja de datos	13 468En existencias	Cinta cortada ₡1 145,02 ₡728,65 ₡489,24 ₡396,59 Ver Envase tipo carrete ₡346,63 ₡355,48 ₡346,63 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 IPB010N06N Infineon Technologies 1: ₡4 122,09 2 212En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB010N06N N.º de artículo de Mouser 726-IPB010N06N	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonoptomos	Hoja de datos	2 212En existencias	Cinta cortada ₡4 122,09 ₡2 758,47 ₡2 217,18 ₡1 972,56 Envase tipo carrete ₡1 764,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000

2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Compartir esto

2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Filtros aplicados: