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2.1 V Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 055,84
1 545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1 545En existencias

Cinta cortada

₡2 055,84

₡1 040,93

₡791,11

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Envase tipo carrete

₡723,45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

DN2625DK6-G
Microchip Technology
1: ₡1 639,47
20 602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2625DK6-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

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20 602En existencias

₡1 639,47

₡1 524,96

₡1 436,48

₡1 311,57

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 644,67
1 774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1 774En existencias

Cinta cortada

₡1 644,67

₡1 066,95

₡739,06

₡598,54

₡572,51

Envase tipo carrete

₡536,08

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Mult.: 1

: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 264,73
3 416En existencias

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IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡1 264,73

₡765,08

₡536,08

₡461,65

₡451,24

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₡451,24

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB013N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 180,04
809En existencias

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IPB013N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB013N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡3 180,04

₡2 003,79

₡1 493,74

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₡1 306,37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 197,07
3 047En existencias

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IPD029N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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₡1 197,07

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₡519,94

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Envase tipo carrete

₡345,07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 367,41
782En existencias

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IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡3 367,41

₡1 837,24

₡1 431,28

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₡1 410,46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 966,65
2 097En existencias

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IPB015N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡2 966,65

₡1 837,24

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₡1 212,68

Envase tipo carrete

₡1 186,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN029-100HLX
Nexperia
1: ₡1 379,23
3 550En existencias

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PSMN029-100HLX

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771-PSMN029-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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₡1 379,23

₡827,54

₡556,90

₡551,69

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₡546,49

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: ₡1 613,44
13 292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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₡1 613,44

₡1 040,93

₡713,04

₡582,92

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₡518,90

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 353,21
31 246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

₡1 353,21

₡869,18

₡598,54

₡475,71

₡437,71

Envase tipo carrete

₡408,04

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06N
Infineon Technologies
1: ₡2 378,53
1 033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1 033En existencias

Cinta cortada

₡2 378,53

₡1 561,40

₡1 160,64

₡978,47

Envase tipo carrete

₡890,00

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 305,66
1 560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1 560En existencias

Cinta cortada

₡2 305,66

₡1 519,76

₡1 072,16

₡905,61

Envase tipo carrete

₡848,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 846,95
1 067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡2 846,95

₡1 832,04

₡1 353,21

₡1 202,28

₡1 134,61

Envase tipo carrete

₡1 134,61

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 467,71
5 903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA20BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

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5 903En existencias

Cinta cortada

₡1 467,71

₡947,25

₡650,58

₡525,67

₡489,24

Envase tipo carrete

₡457,49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

NVTFWS005N08XLTAG
onsemi
1: ₡1 207,48
923En existencias
4 500Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS005N08XLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS005N08XLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

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923En existencias

4 500Se espera el 11/12/2026

Cinta cortada

₡1 207,48

₡765,08

₡518,38

Envase tipo carrete

₡518,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

DMP68D1LV-7
Diodes Incorporated
1: ₡364,33
3 323En existencias
3 000Se espera el 19/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMP68D1LV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP68D1LV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

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3 323En existencias

3 000Se espera el 19/7/2027

Cinta cortada

₡364,33

₡250,34

₡158,74

₡98,37

₡72,34

Envase tipo carrete

₡61,41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN013-60HLX
Nexperia
1: ₡1 176,25
1 450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN013-60HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN013-60HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D

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Hoja de datos

1 450En existencias

Cinta cortada

₡1 176,25

₡749,47

₡624,56

₡501,21

Envase tipo carrete

₡340,90

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NS
Infineon Technologies
1: ₡1 077,36
9 267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

9 267En existencias

Cinta cortada

₡1 077,36

₡676,61

₡444,48

₡352,88

Envase tipo carrete

₡263,36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN033-100HLX
Nexperia
1: ₡1 400,05
2 679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN033-100HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN033-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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Hoja de datos

2 679En existencias

Cinta cortada

₡1 400,05

₡905,61

₡629,76

₡504,85

Envase tipo carrete

₡357,04

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 327,19
3 646En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

3 646En existencias

Cinta cortada

₡1 327,19

₡853,56

₡582,92

₡465,82

₡428,34

Envase tipo carrete

₡397,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡999,29
8 651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

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Hoja de datos

8 651En existencias

Cinta cortada

₡999,29

₡562,10

₡402,84

₡337,26

Envase tipo carrete

₡240,98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 269,94
15 054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF00DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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Hoja de datos

15 054En existencias

Cinta cortada

₡1 269,94

₡817,13

₡556,90

₡442,40

₡406,48

Envase tipo carrete

₡374,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK

BUK9M12-60EX
Nexperia
1: ₡749,47
12 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9M12-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9M12-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK

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Hoja de datos

12 000En existencias

Cinta cortada

₡749,47

₡469,98

₡311,24

₡242,54

Envase tipo carrete

₡185,81

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: ₡1 441,69
2 241En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

2 241En existencias

₡1 441,69

₡931,63

₡640,17

₡516,82

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Min.: 1
Mult.: 1

2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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