S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Fabricante:

Descripción:
DRAM SPCM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marca: Infineon Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Calificación: AEC-Q100
Cantidad de empaque de fábrica: 676
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: HYPERRAM
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
Tailandia
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.

En existencias: 501

Existencias:
501 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡8 244,17 ₡8 244,17
₡7 656,05 ₡76 560,50
₡7 421,84 ₡185 546,00
₡7 244,88 ₡362 244,00
₡7 062,72 ₡706 272,00
₡6 833,71 ₡1 708 427,50
₡6 661,96 ₡3 330 980,00
₡6 495,41 ₡4 390 897,16
2 704 Presupuesto

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