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STMicroelectronics Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Lista Imágenes

Resultados: 92

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Tipo de transistor

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: ₡17 128,52
45En existencias
400Se espera el 6/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

45En existencias

400Se espera el 6/11/2026

₡17 128,52

₡12 803,45

₡11 918,66

₡11 502,29

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

LDMOS FET

1 GHz

25 W

- 65 C

+ 150 C

14.5 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: ₡49 428,60
4En existencias
50Se espera el 28/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

4En existencias

50Se espera el 28/9/2026

₡49 428,60

₡40 008,18

₡37 712,92

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

Screw Mount

175 MHz

175 W

+ 200 C

15 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: ₡53 613,14
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

5En existencias

₡53 613,14

₡44 546,63

₡40 351,68

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

M243

LDMOS FET

1 GHz

45 W

- 65 C

+ 150 C

13 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: ₡4 080,45
9 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

9 000En pedido

Cinta cortada

₡4 080,45

₡2 930,22

₡2 628,35

₡2 487,82

Envase tipo carrete

₡2 487,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

LDMOS FET

1 GHz

3 W

- 65 C

+ 150 C

17 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: ₡74 650,35
1 050En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

1 050En pedido

₡74 650,35

₡57 948,62

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

SD2943W
STMicroelectronics
1: ₡86 704,33
50Se espera el 30/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2943W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

Hoja de datos

50Se espera el 30/10/2026

₡86 704,33

₡66 374,95

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

ST9045C
STMicroelectronics
1: ₡46 206,92
50Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ST9045C

N.º de artículo de Mouser
511-ST9045C

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

50Se espera el 2/10/2026

₡46 206,92

₡37 051,93

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

M243-3

LDMOS FET

1.5 GHz

+ 200 C

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

PD54008TR-E
STMicroelectronics
600: ₡5 199,45
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD54008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡5 199,45

₡4 944,42

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

LDMOS FET

1 GHz

8 W

- 65 C

+ 150 C

11.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: ₡5 907,28
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

₡5 907,28

₡4 111,68

₡3 788,99

₡3 736,94

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

3 W

- 65 C

+ 150 C

17 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55015STR-E
STMicroelectronics
600: ₡5 449,27
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55015STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡5 449,27

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

15 W

- 65 C

+ 150 C

14 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

PD55025TR-E
STMicroelectronics
600: ₡11 439,83
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55025TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡11 439,83

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

LDMOS FET

500 MHz

25 W

+ 165 C

14.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018STR-E
STMicroelectronics
600: ₡11 809,36
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡11 809,36

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

18 W

- 65 C

+ 150 C

16.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018TR-E
STMicroelectronics
600: ₡11 861,41
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡11 861,41

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

LDMOS FET

1 GHz

18 W

- 65 C

+ 150 C

16.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57030S-E
STMicroelectronics
400: ₡18 799,21
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57030S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

₡18 799,21

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

30 W

- 65 C

+ 150 C

14 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57045-E
STMicroelectronics
400: ₡22 817,20
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57045-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57045-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

₡22 817,20

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

LDMOS FET

1 GHz

45 W

- 65 C

+ 150 C

13 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060S-E
STMicroelectronics
400: ₡24 638,83
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

₡24 638,83

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

60 W

- 65 C

+ 150 C

14.3 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060TR-E
STMicroelectronics
600: ₡24 638,83
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡24 638,83

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

LDMOS FET

1 GHz

60 W

- 65 C

+ 150 C

14.3 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035S-E
STMicroelectronics
400: ₡10 955,80
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

₡10 955,80

Presupuesto

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

35 W

- 65 C

+ 150 C

14.9 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035STR-E
STMicroelectronics
600: ₡11 887,43
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

₡11 887,43

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

LDMOS FET

1 GHz

35 W

- 65 C

+ 150 C

14.9 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L15200CB4
STMicroelectronics
100: ₡81 083,30
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L15200CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L15200CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡81 083,30

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

LBB-5

LDMOS FET

860 MHz

200 W

+ 200 C

17.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CF2
STMicroelectronics
120: ₡63 064,79
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡63 064,79

Min.: 120
Mult.: 120

: 120

RF MOSFETs

SMD/SMT

B2-3

LDMOS FET

1.47 GHz

180 W

+ 200 C

17.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27015CG2
STMicroelectronics
300: ₡18 018,51
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27015CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27015CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡18 018,51

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFETs

SMD/SMT

E2-3

LDMOS FET

2.7 GHz

15 W

+ 200 C

19 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300: ₡19 397,75
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27025CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡19 397,75

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFETs

SMD/SMT

E2-3

LDMOS FET

2.7 GHz

25 W

+ 200 C

18 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L36040CF2
STMicroelectronics
160: ₡31 529,79
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L36040CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36040CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡31 529,79

Min.: 160
Mult.: 160

: 160

RF MOSFETs

SMD/SMT

A2-3

LDMOS FET

3.6 GHz

40 W

+ 200 C

14 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF3L05150CB4
STMicroelectronics
1: ₡102 266,25
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF3L05150CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05150CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

₡102 266,25

₡82 139,85

Envase tipo carrete

₡82 139,85

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

RF MOSFETs

Through Hole

LBB-4

LDMOS FET

945 MHz

150 W

+ 200 C

16 dB

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistores de radiofrecuencia

Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

3 W
8 W
12 W
15 W
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