Single Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V
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Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 40 Volt
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onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 30A 450V 250W NPN
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4 591En existencias
2 340Se espera el 29/9/2026
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
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3 296En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC75 30V 154MA 7OHM
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716 796En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
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91 108En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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4 570En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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145 886En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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51 209En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench
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18 909En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
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70 602En existencias
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onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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Vishay Semiconductors Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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IXYS Módulos MOSFET 500V 64A
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1 403En existencias
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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