STMicroelectronics PowerMESH Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Hoja de datos
2 872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
Hoja de datos
46En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Hoja de datos
1 933En existencias
4 200Se espera el 29/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Hoja de datos
Comentarios de Producto
3 046En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
Hoja de datos
2 419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Hoja de datos
827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
Hoja de datos
1 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
Hoja de datos
5En existencias
400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
Hoja de datos
460En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Hoja de datos
935En existencias
2 000Se espera el 24/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
Hoja de datos
424En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
Hoja de datos
27 370En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
Hoja de datos
1 760En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Hoja de datos
900Se espera el 25/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Hoja de datos
5 000Se espera el 9/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
Hoja de datos
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ISOTOP-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Hoja de datos
1 790Se espera el 18/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
Hoja de datos
1 200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)