Die Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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90En existencias
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MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-20GHz IL 1.2dB @20GHz
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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Texas Instruments Amplificadores de transimpedancia Programmable-gain di fferential-output h
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2 784En existencias
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CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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3En existencias
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MACOM M02020-12
MACOM Amplificadores de transimpedancia 400En existencias
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Texas Instruments Amplificadores operacionales - Op Amps DIE SALE Op Amp 0-Dr ift Ser
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100En existencias
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Qorvo Detectores de fase/ tramoyistas 6-18GHz 360 deg 6 Bit LSB 5.625
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60En existencias
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Texas Instruments THS3491YR
Texas Instruments Amplificadores operacionales de alta velocidad 900-MHz high-power-o utput current-feedb
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2 873En existencias
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: 3 000

Qorvo Amplificador de RF 6-18GHz CW PAE >20% GaN
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10En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
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20En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 32-38GHz 4W Gain 18dB
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10En existencias
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Qorvo Detectores de fase/ tramoyistas 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg.
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25En existencias
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CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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100En existencias
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Skyworks Solutions, Inc. Atenuadores Attn=10dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
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2 400En existencias
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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30En existencias
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NXP Semiconductors Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID ICODE SLIX
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6 339En existencias
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Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp, 15-27 GHz
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16En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 7-14GHz LNA DIE
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MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.2dB @ 18GHz
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100En existencias
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Analog Devices Amplificador de RF I.C., 2-20 GHz WBand PA Die
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4En existencias
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Analog Devices Varios inalámbricos de RF GaAs PHEMT MMIC ADA, 24 - 33 GHz Output
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16En existencias
Min.: 2
Mult.: 2