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2.1 V Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 868,47
1 545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06NF2SATMA1

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726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡728,65

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

DN2625DK6-G
Microchip Technology
1: ₡1 639,47
20 602En existencias

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DN2625DK6-G

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689-DN2625DK6-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

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20 602En existencias

₡1 639,47

₡1 524,96

₡1 436,48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: ₡1 613,44
13 292En existencias

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IPD025N06N

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726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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₡1 613,44

₡1 040,93

₡713,04

₡582,92

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₡518,90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 628,35
2 097En existencias

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IPB015N06NF2SATMA1

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726-IPB015N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡2 628,35

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₡1 202,28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN029-100HLX
Nexperia
1: ₡1 337,60
3 550En existencias

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PSMN029-100HLX

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771-PSMN029-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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₡827,54

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 148,82
782En existencias

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IPF012N06NF2SATMA1

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726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 176,25
3 416En existencias

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IPD038N06NF2SATMA1

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726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 348,01
30 959En existencias

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IPD380P06NMATMA1

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726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB013N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 122,79
809En existencias

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IPB013N06NF2SATMA1

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726-IPB013N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 108,59
3 047En existencias

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IPD029N04NF2SATMA1

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726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 530,17
1 199En existencias

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IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 400,05
8 709En existencias

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IPP019N06NF2SAKMA1

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726-P019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A

SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 467,71
5 903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA20BDP-T1-GE3

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78-SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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₡463,21

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 846,95
1 067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N06NATMA1

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726-IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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₡2 846,95

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₡1 353,21

₡1 202,28

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Envase tipo carrete

₡1 134,61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06N
Infineon Technologies
1: ₡2 378,53
1 033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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₡2 378,53

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₡1 160,64

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Envase tipo carrete

₡884,79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 185,95
1 560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1 560En existencias

Cinta cortada

₡2 185,95

₡1 452,10

₡1 035,73

₡895,20

Envase tipo carrete

₡843,15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

DMP68D1LV-7
Diodes Incorporated
1: ₡145,73
2 821En existencias
3 000Se espera el 16/8/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMP68D1LV-7

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621-DMP68D1LV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

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2 821En existencias

3 000Se espera el 16/8/2027

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₡145,73

₡79,11

₡73,39

₡72,34

Envase tipo carrete

₡64,02

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Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: ₡723,45
55 985En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

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55 985En existencias

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₡723,45

₡447,08

₡294,06

₡231,09

Envase tipo carrete

₡179,04

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: ₡848,36
31 639En existencias
10 800Se espera el 18/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP149H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP149H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

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31 639En existencias

10 800Se espera el 18/8/2026

Cinta cortada

₡848,36

₡463,73

₡326,33

₡266,48

Envase tipo carrete

₡226,92

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: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: ₡4 122,09
2 369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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₡4 122,09

₡2 758,47

₡2 217,18

₡1 972,56

Envase tipo carrete

₡1 764,38

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Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK

BUK9Y8R8-60ELX
Nexperia
1: ₡1 233,50
7 202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y8R8-60ELX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y8R8-60ELX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK

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7 202En existencias

Cinta cortada

₡1 233,50

₡650,58

₡530,87

₡426,78

Envase tipo carrete

₡376,30

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Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN033-100HLX
Nexperia
1: ₡1 264,73
2 679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN033-100HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN033-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D

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2 679En existencias

Cinta cortada

₡1 264,73

₡687,01

₡629,76

₡504,85

Envase tipo carrete

₡361,20

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Mult.: 1

: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 020,11
8 651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

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8 651En existencias

Cinta cortada

₡1 020,11

₡511,10

₡402,84

₡370,57

Envase tipo carrete

₡240,98

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 269,94
15 038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF00DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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15 038En existencias

Cinta cortada

₡1 269,94

₡619,35

₡556,90

₡442,40

₡427,82

Envase tipo carrete

₡379,42

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Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 306,37
3 496En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3 496En existencias

Cinta cortada

₡1 306,37

₡806,72

₡556,90

₡465,82

₡425,22

Envase tipo carrete

₡397,12

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Mult.: 1

: 2 500

2.1 V Semiconductores

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