Transistores

Resultados: 1 917
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 5 461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 2 924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag 672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2 565En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp 574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect 599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead 478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT 520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors
STMicroelectronics Transistores Darlington DARLINGTON TRAN 15 385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole SOT-32 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington PNP Power Darlington 4 588En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 FP PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd 1 250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 1 302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 1 094En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 757En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp 3 707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH 1 288En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 3 089En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 3 053En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in 2 232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 5 463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AC Pwr switch 2 518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel