200 MHz DRAM

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Paquete / Cubierta
Organización
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
2 009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
1 635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
553En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
118En existencias
4 800Se espera el 21/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Hoja de datos
426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
842En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V
Hoja de datos
449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
Hoja de datos
312En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz VFBGA-60 32 M x 16 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C W949D6DB Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Hoja de datos
1 192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die
Hoja de datos
108En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A)
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray
Hoja de datos
101En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
Hoja de datos
159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Hoja de datos
1 073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Hoja de datos
3 640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
3 377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
1 099En existencias
3 380En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray