Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 202.98 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-BSS138NH6327

Fabricante N.º:

BSS138N H6327

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Hoja de datos:

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies BSS138N H6327

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	230 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	360 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	BSS138
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Peso de la unidad:	8 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on 
Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further 
information.

5-0222-5

Filtrar documento:

Hoja de datos

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
Learn More

PRODUCTOS DESTACADOS

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Obtenga más información

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

Obtenga más información

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, & AI.

Obtenga más información

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

Obtenga más información

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

Obtenga más información

En existencias: 3

Existencias:: 3 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 45 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 3 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡202,98	₡202,98
	₡140,53	₡1 405,30
	₡89,00	₡8 900,00
	₡56,21	₡28 105,00
	₡48,92	₡48 920,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡27,06	₡81 180,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SP000919330

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡202,98

Mín.:

BSS138N H6327

Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Especificaciones

Comentarios de Producto

Documentos (2)

Hoja de datos

Product Catalogs

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS INFINEON

En existencias: 3

Precio (CRC)

Embalaje alternativo

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

PRODUCTOS DESTACADOS

INFINEON