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IPP65R090CFD7XKSA1

Name: Infineon IPP65R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P65R090CFD7XKSA1
Price: 3424.66 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-P65R090CFD7XKSA1

Fabricante N.º:

IPP65R090CFD7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPP65R090CFD7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPP65R090CFD7 SP005413363

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Existencias:: 774 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 424,66	₡3 424,66
	₡1 790,40	₡17 904,00
	₡1 634,26	₡163 426,00
	₡1 384,44	₡692 220,00
	₡1 290,75	₡1 290 750,00

IPP65R090CFD7XKSA1

Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Especificaciones

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