STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Complete su diseño

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre STMicroelectronics STDRIVEG612QTR

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Tiempo de retardo de apagado máximo: 65 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 65 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Voltaje de salida: 520 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 65 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 6.8 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Nombre comercial: STDRIVE
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

En existencias: 781

Existencias:
781 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 993,38 ₡1 993,38
₡1 504,15 ₡15 041,50
₡1 384,44 ₡34 611,00
₡1 249,12 ₡124 912,00
₡1 181,46 ₡295 365,00
₡1 176,25 ₡588 125,00
₡1 108,59 ₡1 108 590,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡1 051,34 ₡3 154 020,00
6 000 Presupuesto

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.