STY139N65M5

STMicroelectronics
511-STY139N65M5
STY139N65M5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
130 A
17 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
363 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 37 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 56 ns
Serie: Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Peso de la unidad: 5 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Italia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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₡-,--
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