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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
IGBTs 32 Amps 1200V IXGH32N120A3 IXYS 1: ₡7 192,83 295En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXGH32N120A3 N.º de artículo de Mouser 747-IXGH32N120A3	IXYS	IGBTs 32 Amps 1200V	Hoja de datos	295En existencias	₡7 192,83 ₡4 356,30 ₡3 929,51	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds IXTA12N50P IXYS 1: ₡3 081,16 962En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA12N50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTA12N50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	962En existencias	₡3 081,16 ₡1 618,65 ₡1 415,67 ₡1 249,12	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET IXTA32P20T IXYS 1: ₡5 855,24 1 824En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA32P20T N.º de artículo de Mouser 747-IXTA32P20T	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	1 824En existencias	₡5 855,24 ₡3 471,50 ₡3 190,45	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A IXTH02N250 IXYS 1: ₡11 262,87 461En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH02N250 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH02N250	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	461En existencias	₡11 262,87 ₡7 234,47	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A IXTH500N04T2 IXYS 1: ₡10 326,03 177En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH500N04T2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH500N04T2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A Obtenga más información sobre IXYS gen2 trench gate mosfets	Hoja de datos	177En existencias	₡10 326,03 ₡7 713,30 ₡5 922,90 ₡5 912,49 ₡5 896,87	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET IXTH60N20X4 IXYS 1: ₡8 098,44 329En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH60N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH60N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET Obtenga más información sobre IXYS ixt x4 mosfets	Hoja de datos	329En existencias	₡8 098,44 ₡4 574,89 ₡4 528,05	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET IXTJ4N150 IXYS 1: ₡8 322,24 248En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTJ4N150 N.º de artículo de Mouser 747-IXTJ4N150	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	248En existencias	₡8 322,24 ₡4 715,42 ₡4 689,39	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds IXTK32P60P IXYS 1: ₡12 007,14 751En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTK32P60P N.º de artículo de Mouser 747-IXTK32P60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	751En existencias	₡12 007,14 ₡9 056,10	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds IXTP48N20T IXYS 1: ₡3 154,02 636En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP48N20T N.º de artículo de Mouser 747-IXTP48N20T	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds Obtenga más información sobre IXYS gen1 trench gate mosfets	Hoja de datos	636En existencias	₡3 154,02 ₡1 660,28 ₡1 509,35 ₡1 321,98 ₡1 290,75	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS IXTP94N20X4 IXYS 1: ₡9 102,94 719En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP94N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP94N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS ix4 ultra junction mosfets	Hoja de datos	719En existencias	₡9 102,94 ₡6 136,29 ₡5 152,61 ₡5 038,11	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds IXTQ22N50P IXYS 1: ₡4 231,38 626En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ22N50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ22N50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	626En existencias	₡4 231,38 ₡2 264,02 ₡2 081,86 ₡1 988,18 ₡1 936,13	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs TO247 2500V 16A IGBT IXYH16N250CV1HV IXYS 1: ₡19 782,89 262En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXYH16N250CV1HV N.º de artículo de Mouser 747-IXYH16N250CV1HV	IXYS	IGBTs TO247 2500V 16A IGBT	Hoja de datos	262En existencias	₡19 782,89 ₡14 255,55	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT IXYN30N170CV1 IXYS 1: ₡29 369,86 411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXYN30N170CV1 N.º de artículo de Mouser 747-IXYN30N170CV1	IXYS	Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT Obtenga más información sobre IXYS 1700v xpt igbts	Hoja de datos	411En existencias	₡29 369,86 ₡23 629,13	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos de semiconductores discretos 95 Amps 1200V MCD95-12IO1B IXYS 1: ₡19 288,45 59En existencias	N.º de artículo del Fabricante MCD95-12IO1B N.º de artículo de Mouser 747-MCD95-12IO1B	IXYS	Módulos de semiconductores discretos 95 Amps 1200V	Hoja de datos	59En existencias	₡19 288,45 ₡15 192,39 ₡15 187,18 Ver Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Cables especializados Keyed Twin Plug ZY180L350 IXYS 1: ₡2 003,79 4 171En existencias	N.º de artículo del Fabricante ZY180L350 N.º de artículo de Mouser 747-ZY180L350	IXYS	Cables especializados Keyed Twin Plug	Hoja de datos	4 171En existencias	₡2 003,79 ₡1 603,03 ₡1 524,96 ₡1 483,33 Ver ₡1 431,28 ₡1 259,53 ₡1 223,09 ₡1 181,46 ₡1 171,05	Min.: 1 Mult.: 1
Rectificadores 5A 600V DURD560A IXYS 1: ₡1 072,16 13 730En existencias	N.º de artículo del Fabricante DURD560A N.º de artículo de Mouser 576-DURD560A	IXYS	Rectificadores 5A 600V Obtenga más información sobre IXYS littelfuse dur rectifiers	Hoja de datos	13 730En existencias	Cinta cortada ₡1 072,16 ₡593,33 ₡450,72 ₡357,04 ₡325,81 Envase tipo carrete ₡280,01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500
IGBTs TO247 3KV 12A IGBT IXBH12N300 IXYS 1: ₡25 029,18 271En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXBH12N300 N.º de artículo de Mouser 747-IXBH12N300	IXYS	IGBTs TO247 3KV 12A IGBT Obtenga más información sobre IXYS 2500v 3600v bimosfet igbts	Hoja de datos	271En existencias	₡25 029,18 ₡19 090,67	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds IXFH20N80P IXYS 1: ₡6 890,96 244En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFH20N80P N.º de artículo de Mouser 747-IXFH20N80P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds Obtenga más información sobre IXYS 900v hiperfet	Hoja de datos	244En existencias	₡6 890,96 ₡3 825,42 ₡3 669,28	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds IXFK140N20P IXYS 1: ₡10 690,36 284En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFK140N20P N.º de artículo de Mouser 747-IXFK140N20P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds Obtenga más información sobre IXYS 900v hiperfet	Hoja de datos	284En existencias	₡10 690,36 ₡6 474,59	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds IXFT140N10P IXYS 1: ₡10 596,68 470En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFT140N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXFT140N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds Obtenga más información sobre IXYS 900v hiperfet	Hoja de datos	470En existencias	₡10 596,68 ₡7 468,68 ₡6 136,29	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode IXFX120N30P3 IXYS 1: ₡11 632,40 149En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFX120N30P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFX120N30P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	149En existencias	₡11 632,40 ₡7 208,45	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds IXGT10N170A IXYS 1: ₡10 705,97 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXGT10N170A N.º de artículo de Mouser 747-IXGT10N170A	IXYS	IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds	Hoja de datos	300En existencias	₡10 705,97 ₡8 821,89 ₡7 062,72 ₡6 984,65 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds IXTA06N120P IXYS 1: ₡3 403,84 2 466En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA06N120P N.º de artículo de Mouser 747-IXTA06N120P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	2 466En existencias	₡3 403,84 ₡1 806,01 ₡1 644,67 ₡1 446,89	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds IXTH180N10T IXYS 1: ₡5 272,31 1 275En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH180N10T N.º de artículo de Mouser 747-IXTH180N10T	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds Obtenga más información sobre IXYS gen1 trench gate mosfets	Hoja de datos	1 275En existencias	₡5 272,31 ₡2 846,95 ₡2 623,15 ₡2 586,71	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS IXTK102N65X2 IXYS 1: ₡12 730,58 218En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTK102N65X2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTK102N65X2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS Obtenga más información sobre IXYS x2 hiperfet mosfets	Hoja de datos	218En existencias	₡12 730,58 ₡8 088,03	Min.: 1 Mult.: 1