Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
300S14-U
THAT
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₡4 923,60
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N.º de artículo de Mouser 887-300S14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
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IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
MMIX4B22N300
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-MMIX4B22N300
IXYS
IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array SO-14
320S14-U
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N.º de artículo de Mouser 887-320S14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array SO-14
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4 125 Se espera el 13/8/2026
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Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA
UMP11NTN
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-UMP11NTN
ROHM Semiconductor
Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA
30 433 En existencias
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Módulos IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
NXH80T120L2Q0P2G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-XH80T120L2Q0P2G
onsemi
Módulos IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
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ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMHT3006LFJ-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
9 023 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
2 695 En existencias
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
VS-U5FH30BA60
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-U5FH30BA60
Vishay Semiconductors
Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 16-SOIC PNP/NPN
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MMPQ6700
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 512-MMPQ6700
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 16-SOIC PNP/NPN
4 693 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14
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320P14-U
THAT
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₡6 151,90
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N.º de artículo de Mouser 887-320P14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14
23 En existencias
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₡6 151,90
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4-Match NPN Trans Ar Hfe 300, 36V/30mA
300BS14-U
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N.º de artículo de Mouser 887-300BS14-U
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4-Match NPN Trans Ar Hfe 300, 36V/30mA
173 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 NPN Matched Trans. Array DIP-14
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300P14-U
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₡6 125,88
180 En existencias
N.º de artículo de Mouser 887-300P14-U
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 NPN Matched Trans. Array DIP-14
180 En existencias
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₡6 125,88
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14
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340P14-U
THAT
1:
₡6 151,90
90 En existencias
150 Se espera el 3/8/2026
N.º de artículo de Mouser 887-340P14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14
90 En existencias
150 Se espera el 3/8/2026
1
₡6 151,90
10
₡5 012,08
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₡3 716,12
1 000
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Rectificadores y diodos Schottky Quad Schottky Diode Array
UC3611DW
Texas Instruments
1:
₡10 201,12
94 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-UC3611DW
Texas Instruments
Rectificadores y diodos Schottky Quad Schottky Diode Array
94 En existencias
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₡10 201,12
10
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₡5 803,19
520
₡5 631,44
1 000
₡5 386,82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
DI006H03SQ
Diotec Semiconductor
1:
₡1 316,78
3 908 En existencias
N.º de artículo de Mouser 637-DI006H03SQ
Diotec Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
3 908 En existencias
1
₡1 316,78
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₡461,65
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8 000
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1 000
₡424,18
2 000
₡372,65
8 000
₡324,77
24 000
Presupuesto
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Carrete :4 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja
HN4D02JU(TE85L,F)
Toshiba
1:
₡239,41
1 747 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-HN4D02JUTE85LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja
1 747 En existencias
1
₡239,41
10
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3 000
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Ver
1 000
₡57,77
6 000
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9 000
₡28,11
24 000
₡27,58
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Carrete :3 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
HN1D02FE,LF
Toshiba
1:
₡291,46
2 970 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-HN1D02FELF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
2 970 En existencias
1
₡291,46
10
₡198,82
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1 000
₡69,22
2 000
₡60,89
8 000
₡45,80
24 000
₡33,83
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Carrete :4 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja BAW56SRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
BAW56SRA-QZ
Nexperia
1:
₡208,19
4 400 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-BAW56SRA-QZ
Nexperia
Diodos de Conmutación de Señal Baja BAW56SRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
4 400 En existencias
1
₡208,19
10
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₡90,56
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₡56,73
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1 000
₡49,96
2 500
₡43,72
10 000
₡26,02
25 000
₡23,94
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV70SRA/SOT1268/DFN1412-6
BAV70SRAZ
Nexperia
1:
₡171,75
78 En existencias
10 000 Se espera el 30/4/2027
N.º de artículo de Mouser 771-BAV70SRAZ
Nexperia
Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV70SRA/SOT1268/DFN1412-6
78 En existencias
10 000 Se espera el 30/4/2027
1
₡171,75
10
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Ver
5 000
₡29,67
1 000
₡42,68
2 500
₡32,79
5 000
₡29,67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
+2 imágenes
DMHC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡791,11
2 531 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMHC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
2 531 En existencias
1
₡791,11
10
₡462,69
100
₡322,17
2 500
₡322,17
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Máx.: 190
Carrete :2 500
Detalles
Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
BST70B2P4K01-VC
ROHM Semiconductor
1:
₡58 901,07
60 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 755-BST70B2P4K01-VC
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
60 En existencias
1
₡58 901,07
10
₡48 996,61
120
₡44 936,98
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Min.: 1 Mult.: 1
Módulos IGBT 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
NXH600N105L7F5P2HG
onsemi
1:
₡116 266,77
24 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-H600N105L7F5P2HG
Nuevo producto
onsemi
Módulos IGBT 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
24 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated
1:
₡1 483,33
1 075 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC10A07T8TA
Fin de vida útil
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
1 075 En existencias
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₡1 483,33
10
₡874,38
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₡634,97
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₡536,08
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₡470,50
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Carrete :1 000
Detalles
Costa Rica
