Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT
IXTH3N200P3HV
IXYS
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 3KV 1A N-CH POLAR
IXTT1N300P3HV
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747-IXTT1N300P3HV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 3KV 1A N-CH POLAR
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Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
BSM120D12P2C005
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
RD3P130SPTL1
ROHM Semiconductor
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755-RD3P130SPTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XK1R9F10QB,LXGQ
Toshiba
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757-XK1R9F10QB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Optoacopladores de salida lógica High Temp 2.5A Output Current Opto
FOD3125SD
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Optoacopladores de salida lógica High Temp 2.5A Output Current Opto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 238mA N-Channel
NTA4001NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 238mA N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 154mA N-Channel
NTA7002NT1G
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863-NTA7002NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 154mA N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET
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NVF6P02T3G
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET
3 846 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
IRFR1205TRPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
STP200NF03
STMicroelectronics
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
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Controladores de puertas Hi&Lw Sd Drvr
IRS2001STRPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas Hi&Lw Sd Drvr
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Controladores de puertas 30A Sync Buck NexFET Power Stage A 595-C A 595-CSD97396Q4M
CSD97396Q4MT
Texas Instruments
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595-CSD97396Q4MT
Texas Instruments
Controladores de puertas 30A Sync Buck NexFET Power Stage A 595-C A 595-CSD97396Q4M
64 En existencias
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Controladores de conmutación Economy High Speed A 595-UC28023DWR A 59 A 595-UC28023DWR
UC28023DW
Texas Instruments
1:
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595-UC28023DW
Texas Instruments
Controladores de conmutación Economy High Speed A 595-UC28023DWR A 59 A 595-UC28023DWR
26 En existencias
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Controladores de conmutación Regulating Pulse Wid th Modulator A 595- A 595-UC28025DWR
UC28025DW
Texas Instruments
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N.º de artículo de Mouser
595-UC28025DW
Texas Instruments
Controladores de conmutación Regulating Pulse Wid th Modulator A 595- A 595-UC28025DWR
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280
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3 000
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Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
MIC2182-3.3YM
Microchip Technology
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998-MIC2182-3.3YM
Microchip Technology
Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
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Detalles
Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
MIC2182-5.0YM
Microchip Technology
1:
₡2 409,75
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N.º de artículo de Mouser
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Microchip Technology
Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
66 En existencias
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Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
MIC2182YM
Microchip Technology
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96 Se espera el 8/10/2026
N.º de artículo de Mouser
998-MIC2182YM
Microchip Technology
Controladores de conmutación High Efficiency Synchronous Buck Controller
53 En existencias
96 Se espera el 8/10/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200V (D-S
SUD19N20-90-BE3
Vishay / Siliconix
1:
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Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SUD19N20-90-BE3
Fin de vida útil
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200V (D-S
2 486 En existencias
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₡983,68
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₡811,93
4 000
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Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
onsemi FOD3120SD
FOD3120SD
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser
512-FOD3120SD
onsemi
Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
3 955 En existencias
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1
₡1 290,75
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1 000
₡733,86
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1 000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
onsemi FOD3120SDV
FOD3120SDV
onsemi
1:
₡1 150,23
3 583 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FOD3120SDV
onsemi
Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
3 583 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 150,23
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₡822,34
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1 000
₡634,97
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Mult.: 1
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1 000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
onsemi FOD3120V
FOD3120V
onsemi
1:
₡1 129,41
1 912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FOD3120V
onsemi
Optoacopladores de salida lógica Optocoupl Logic-Out Push-Pul DC-In 1-Ch
1 912 En existencias
1
₡1 129,41
10
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100
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1 000
₡508,49
2 000
₡453,33
5 000
₡437,71
10 000
₡427,82
25 000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡411,17
3 217 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 217 En existencias
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₡411,17
10
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₡124,39
3 000
₡95,25
9 000
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9 000
₡82,75
24 000
₡72,87
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
STY60NK30Z
STMicroelectronics
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₡8 415,93
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600 Se espera el 27/8/2027
N.º de artículo de Mouser
511-STY60NK30Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
5 En existencias
600 Se espera el 27/8/2027
1
₡8 415,93
10
₡5 178,63
100
₡4 502,03
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-8
+2 imágenes
FDS4675
onsemi
1:
₡1 009,70
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FDS4675
N.º de artículo de Mouser
512-FDS4675
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-8
494 En existencias
5 000 En pedido
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494 Se puede enviar inmediatamente
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Plazo de entrega de fábrica:
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₡1 009,70
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₡417,41
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₡417,41
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