Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHJ10N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
FCMT360N65S3
onsemi
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onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMP390N65EC_T0_00001
Panjit
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241-PJMP390N65T00001
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
RRH100P03TB1
ROHM Semiconductor
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755-RRH100P03TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
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FDZ1323NZ
onsemi
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NRND
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512-FDZ1323NZ
NRND
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
RJK5035DPP-A0#T2
Renesas Electronics
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968-RJK5035DPP-A0#T2
Renesas Electronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
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595-CSD87503Q3ET
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
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726-IPL60R365P7AUMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
IXTP10N60P
IXYS
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747-IXTP10N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
IRF740STRRPBF
Vishay Semiconductors
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844-IRF740STRRPBF
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp
207 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
844-IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
644 En existencias
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₡341,43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
STL38DN6F7AG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STL38DN6F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
2 840 En existencias
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9 000
₡233,17
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
198 En existencias
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₡634,97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
IXTY10P15T
IXYS
1:
₡3 128,00
350 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTY10P15T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
350 En existencias
1
₡3 128,00
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMF390N65EC_T0_00001
Panjit
1:
₡1 098,18
733 En existencias
N.º de artículo de Mouser
241-PJMF390N65T00001
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
733 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
+1 imagen
IXFH10N80P
IXYS
1:
₡4 132,50
280 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
280 En existencias
1
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10
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₡1 930,93
510
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
RRS100P03HZGTB
ROHM Semiconductor
1:
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2 455 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RRS100P03HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
2 455 En existencias
1
₡1 535,37
10
₡994,09
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5 000
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₡525,67
5 000
₡425,22
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Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1:
₡2 238,00
896 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
896 En existencias
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1
₡2 238,00
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₡1 119,00
100
₡947,25
500
₡827,54
1 000
₡811,93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
NTPF360N65S3H
onsemi
1:
₡2 238,00
769 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTPF360N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
769 En existencias
1
₡2 238,00
10
₡1 207,48
100
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60075D5-GP4
MACOM
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV60075D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STF10NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 816,42
738 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
738 En existencias
1
₡1 816,42
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₡879,59
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₡723,45
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10 000
Presupuesto
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
STF12NK60Z
STMicroelectronics
1:
₡2 383,73
544 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
544 En existencias
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₡2 383,73
10
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5 000
₡770,29
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles