10 A Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 891En existencias
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: 3 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS 161En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 913En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 3 397En existencias
6 000Se espera el 13/8/2026
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: 3 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp 1 201En existencias
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Máx.: 1 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V 739En existencias
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8 2 388En existencias
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: 2 500

Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 10A 30mohm SOP-8 2 351En existencias
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: 2 500

Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,SOP-8 7 977En existencias
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: 4 000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET 591En existencias
2 500Se espera el 23/10/2026
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: 2 500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 779En existencias
5 000En pedido
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: 2 500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 68En existencias
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: 2 500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET 4En existencias
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: 2 500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V Zener SuperMESH 800En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 360En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package 58En existencias
1 000En pedido
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 545En existencias
600Se espera el 1/9/2026
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Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET 647En existencias
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD 2 997En existencias
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Máx.: 660
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 6 991En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A 3 016En existencias
5 000Se espera el 16/7/2027
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Máx.: 380
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K 3 730En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V to 24V FET Access Point Min RDSon 1 339En existencias
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm 284En existencias
15 000En pedido
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Máx.: 1 810
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN ENHNCMNT MODE 2 930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500