10 A Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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196En existencias
5 000Se espera el 11/2/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V
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300Se espera el 15/2/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
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5En existencias
300Se espera el 22/9/2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 10A MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
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57En existencias
2 500Se espera el 19/8/2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
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1 537En existencias
3 000Se espera el 26/8/2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 10A
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740En existencias
3 000Se espera el 11/11/2026
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
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450Se espera el 27/8/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
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39 000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
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2 000Se espera el 27/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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1 704En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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380En existencias
39 000Se espera el 13/12/2027
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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1 428En existencias
8 000En pedido
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SWITCHING DEVICE
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1 285En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
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1 602En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
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284En existencias
800Se espera el 22/12/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
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37En existencias
4 000Se espera el 29/10/2026
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