Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJL9413_R2_00001
Panjit
1:
₡489,24
2 180 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
241-PJL9413_R2_00001
NRND
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
2 180 En existencias
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5 000
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1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 10A 0.0135Rds(on) 14Qg
RSS100N03FRATB
ROHM Semiconductor
1:
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1 214 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RSS100N03FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 10A 0.0135Rds(on) 14Qg
1 214 En existencias
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Ver
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₡210,79
25 000
₡202,46
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
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11 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
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500
₡7 380,20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
CDMSJ22010-650 SL
Central Semiconductor
1:
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487 En existencias
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610-CDMSJ22010-650SL
Central Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
487 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM120N06LCP ROG
Taiwan Semiconductor
1:
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821-TSM120N06LCPROG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
3 606 En existencias
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₡218,08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
DI010N03PW-AQ
Diotec Semiconductor
1:
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4 075 En existencias
N.º de artículo de Mouser
637-DI010N03PW-AQ
Diotec Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
4 075 En existencias
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₡92,12
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4 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -10A, Single P-Channel Power MOSFET
TSM180P03CS RLG
Taiwan Semiconductor
1:
₡588,13
2 009 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TSM180P03CSRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -10A, Single P-Channel Power MOSFET
2 009 En existencias
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₡131,68
10 000
₡131,16
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Mult.: 1
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2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
+1 imagen
IXTH10P50P
IXYS
1:
₡5 511,73
2 910 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10P50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
2 910 En pedido
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1 230 Se espera el 28/12/2026
1 680 Se espera el 5/4/2027
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23 Semanas
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120
₡3 487,12
510
₡2 945,83
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
SQA405EJ-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡650,58
36 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SQA405EJ-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
36 000 En pedido
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₡124,39
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
STF11NM60ND
STMicroelectronics
1:
₡2 956,24
99 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
99 En existencias
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1 000
₡1 103,39
2 000
₡1 082,57
5 000
₡1 066,95
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD10P10F6
STMicroelectronics
1:
₡733,86
14 938 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STD10P10F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
14 938 En pedido
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7 438 Se espera el 27/11/2026
7 500 Se espera el 4/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
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₡192,05
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Ver
1 000
₡215,99
5 000
₡174,88
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Min.: 1
Mult.: 1
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2 500
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMWH170R450M1XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 997,17
1 905 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IMWH170R450M1XKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
1 905 En pedido
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705 Se espera el 17/12/2026
1 200 Se espera el 10/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡3 997,17
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480
₡2 014,20
1 200
₡1 915,31
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
IXTQ10P50P
IXYS
1:
₡5 329,57
537 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ10P50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
537 En pedido
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En pedido:
237 Se espera el 15/2/2027
300 Se espera el 22/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
1
₡5 329,57
10
₡3 143,61
120
₡2 659,58
510
₡2 623,15
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
+1 imagen
TPC8125,LQ(S
Toshiba
1:
₡598,54
4 926 Se espera el 18/12/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TPC8125LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
4 926 Se espera el 18/12/2026
1
₡598,54
10
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₡244,62
500
₡191,53
2 500
₡191,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba
1:
₡1 207,48
9 761 Se espera el 14/9/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TPH1110FNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
9 761 Se espera el 14/9/2026
1
₡1 207,48
10
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₡525,67
500
₡417,93
1 000
₡373,69
5 000
₡353,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)
XSM6K376NW,LXHF
Toshiba
1:
₡431,99
65 900 Se espera el 11/9/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K376NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)
65 900 Se espera el 11/9/2026
1
₡431,99
10
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100
₡173,84
500
₡132,72
3 000
₡102,01
6 000
Ver
1 000
₡119,19
6 000
₡93,68
9 000
₡81,19
24 000
₡78,59
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 10A
IRLZ14SPBF
Vishay Semiconductors
1:
₡1 243,91
2 869 Se espera el 21/9/2026
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ14SPBF
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 10A
2 869 Se espera el 21/9/2026
1
₡1 243,91
10
₡692,22
100
₡525,67
500
₡426,26
1 000
Ver
1 000
₡383,58
2 000
₡354,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF12N50M2
STMicroelectronics
1:
₡1 243,91
113 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
113 En existencias
1
₡1 243,91
10
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100
₡517,34
500
₡420,54
1 000
Ver
1 000
₡396,59
2 000
₡362,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU13N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 321,98
916 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
916 En existencias
1
₡1 321,98
10
₡650,58
100
₡577,72
500
₡465,30
1 000
Ver
1 000
₡427,30
2 000
₡395,55
5 000
₡386,71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
DMT6013LSS-13
Diodes Incorporated
1:
₡556,90
2 500 Se espera el 15/1/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMT6013LSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
2 500 Se espera el 15/1/2027
1
₡556,90
10
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100
₡246,70
500
₡170,19
1 000
₡143,13
2 500
₡112,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
RF4C100BCTCR
ROHM Semiconductor
1:
₡687,01
3 000 Se espera el 24/11/2026
N.º de artículo de Mouser
755-RF4C100BCTCR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
3 000 Se espera el 24/11/2026
1
₡687,01
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₡222,24
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6 000
Ver
1 000
₡213,91
6 000
₡162,39
9 000
₡161,34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
IRLZ14PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 207,48
1 985 Se espera el 29/11/2027
N.º de artículo de Mouser
78-IRLZ14PBF-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
1 985 Se espera el 29/11/2027
Embalaje alternativo
1
₡1 207,48
10
₡588,13
100
₡525,67
500
₡417,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQAA42CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡374,74
5 975 Se espera el 11/1/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SQAA42CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
5 975 Se espera el 11/1/2027
1
₡374,74
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₡113,46
1 000
Ver
1 000
₡102,01
3 000
₡86,92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
IRLZ14PBF
Vishay Semiconductors
1:
₡1 207,48
3 033 En pedido
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ14PBF
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
3 033 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
En pedido:
2 033 Se espera el 3/9/2026
1 000 Se espera el 10/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
60 Semanas
1
₡1 207,48
10
₡588,13
100
₡525,67
500
₡417,93
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Ver
1 000
₡383,58
2 000
₡354,96
5 000
₡323,73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DSN1212-4 T&R 3K
Diodes Incorporated DMP1010UCA4-7
DMP1010UCA4-7
Diodes Incorporated
1:
₡650,58
2 995 Se espera el 23/4/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMP1010UCA4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DSN1212-4 T&R 3K
2 995 Se espera el 23/4/2027
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