10 A Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
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500Existencias en fábrica disponibles
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA10P15T TRL
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1 600Existencias en fábrica disponibles
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: 800

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 1
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: 3 000

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 5 1200 V 1.5 Ohm TO-247
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 30
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Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3 000
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: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
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: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1 000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 1
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA10N80P TRL
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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: 800


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 0.5 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 10A P-CH TRENCH
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 300
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 1
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: 2 500