Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
EVAL500W5GPSUTOBO1
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726-EVAL500W5GPSUTOB
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Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
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Herramientas de desarrollo de administración de IC SERVICES (DIEN)
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1
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726-EVALTOLTDC36V2KW
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Herramientas de desarrollo de administración de IC SERVICES (DIEN)
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IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
IKWH40N65EH7XKSA1
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IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
360°
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BTS722204ESPXUMA1
Infineon Technologies
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726-BTS722204ESPXUMA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
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Controladores de conmutación USB-C HV MCU
CYPM1115-48LQXI
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726-CYPM1115-48LQXI
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Controladores de conmutación USB-C HV MCU
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Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
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726-FF33MR12W1M1HPB1
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Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPDQ60R040S7AXTMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
TLE4971A120T5UE0001XUMA1
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726-TLE4971A120T5UE1
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Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
1 995 En existencias
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100
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500
₡1 956,95
1 000
₡1 884,08
2 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)
IAUTN12S5N018GATMA1
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726-IAUTN12S5N018GAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)
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₡4 267,82
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₡1 951,75
1 800
₡1 951,75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R015CFD7XTMA1
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726-IPDQ60R015CFD7XT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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750
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ65R029CFD7XTMA1
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726-IPDQ65R029CFD7XT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
739 En existencias
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₡3 825,42
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60R010S7XTMA1
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726-IPQC60R010S7XTMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
418 En existencias
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750
₡8 259,79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60R017S7XTMA1
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726-IPQC60R017S7XTMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
699 En existencias
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₡4 819,51
750
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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1EDN7146UXTSA1
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726-1EDN7146UXTSA1
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
3 185 En existencias
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₡195,69
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₡214,43
1 000
₡206,62
2 500
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4 500
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Controladores de puertas LEVEL SHIFT DRIVER
2ED1321S12MXUMA1
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726-2ED1321S12MXUMA1
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Controladores de puertas LEVEL SHIFT DRIVER
2 931 En existencias
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100
₡1 400,05
250
₡1 368,82
1 000
₡1 129,41
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Controladores de conmutación COOLSET
ICE5AR3995BZXKLA1
Infineon Technologies
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726-ICE5AR3995BZXKLA
Infineon Technologies
Controladores de conmutación COOLSET
1 680 En existencias
1
₡863,97
10
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100
₡512,14
250
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250
₡481,95
500
₡463,73
1 000
₡448,12
2 000
₡430,95
4 000
₡421,06
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IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IKQ75N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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268 En existencias
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726-IKQ75N120CH7XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
268 En existencias
1
₡4 080,45
10
₡2 586,71
100
₡2 305,66
480
₡2 165,14
1 200
₡2 123,50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R025CFD7XTMA1
Infineon Technologies
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752 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R025CFD7XT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
752 En existencias
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750
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 019,41
3 245 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
3 245 En existencias
1
₡2 019,41
10
₡1 025,32
100
₡921,22
500
₡759,88
1 000
Ver
6 000
₡713,04
1 000
₡754,67
2 500
₡713,04
6 000
₡713,04
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Carrete :
6 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISZ15EP15LMATMA1
Infineon Technologies
1:
₡593,33
3 493 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ15EP15LMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3 493 En existencias
1
₡593,33
10
₡273,24
100
₡242,02
500
₡187,37
5 000
₡133,24
10 000
Ver
1 000
₡177,48
2 500
₡156,66
10 000
₡122,83
25 000
₡117,63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
TLE4971A075T5UE0001XUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 399,35
2 417 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE4971A075T5UE1
Infineon Technologies
Sensores de corriente montados en placa CURRENT SENS CONS & IND
2 417 En existencias
1
₡2 399,35
5
₡2 154,73
10
₡2 061,04
25
₡1 951,75
50
Ver
2 500
₡1 514,55
50
₡1 873,68
100
₡1 779,99
500
₡1 613,44
1 000
₡1 577,01
2 500
₡1 514,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Amplificador de RF Silicon RF Receiver MMIC
BGA 715N7 E6327
Infineon Technologies
1:
₡702,63
4 255 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BGA715N7E6327
NRND
Infineon Technologies
Amplificador de RF Silicon RF Receiver MMIC
4 255 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡702,63
10
₡508,49
25
₡460,09
100
₡406,48
250
Ver
7 500
₡331,54
250
₡380,98
500
₡365,89
1 000
₡349,23
2 500
₡339,86
5 000
₡331,54
7 500
₡331,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
7 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04L G
Infineon Technologies
1:
₡1 998,59
1 751 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1 751 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 998,59
10
₡1 306,37
100
₡952,45
500
₡796,31
1 000
₡733,86
2 000
₡692,22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
1:
₡832,74
4 694 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N03LGATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
4 694 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡832,74
10
₡392,43
100
₡309,16
500
₡258,67
1 000
₡246,70
2 500
₡226,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡702,63
6 662 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6 662 En existencias
1
₡702,63
10
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100
₡285,74
500
₡223,28
1 000
₡200,90
2 500
₡153,02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles