Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
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Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
TLE4278GXUMA3
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₡582,92
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Interfaz IC CAN IN VEHICLE NETWORK ICS
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₡952,45
25
₡869,18
100
₡775,49
2 500
₡655,79
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₡733,86
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Relés de Estado Sólido - Montaje en tarjeta de circuito impreso 300V 1 Form A Photo Voltaic Relay
PVA3054NPBF
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₡2 831,33
25
₡2 732,44
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₡2 675,19
100
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₡2 617,94
250
₡2 550,28
500
₡2 482,62
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₡2 394,14
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₡2 373,32
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Interfaz IC CAN TRANSCEIVER
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726-TLE62512GXUMA3
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₡1 618,65
10
₡1 212,68
25
₡1 108,59
100
₡999,29
2 500
₡848,36
5 000
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₡931,63
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₡884,79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
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₡519,42
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₡363,28
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₡233,69
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₡247,22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPA90R340C3XKSA2
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₡3 580,80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPD90N06S407ATMA2
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₡1 103,39
10
₡624,56
100
₡439,27
500
₡367,97
2 500
₡307,07
5 000
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD205B102ELE6327XTMA1
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₡105,65
100
₡79,63
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₡74,95
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₡59,85
1 000
₡69,22
2 500
₡66,10
5 000
₡64,54
10 000
₡63,50
15 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CP
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₡3 003,09
100
₡2 430,57
500
₡2 159,93
1 000
₡1 930,93
2 000
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₡1 925,72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
IPD80R2K8CEATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
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10
₡541,28
100
₡358,60
500
₡295,10
2 500
₡188,93
25 000
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1 000
₡264,40
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Módulos IGBT IGBT MODULES 600V
FS150R06KE3
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Módulos IGBT IGBT MODULES 600V
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
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XMC1100T016F0064ABXUMA1
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
29 411 En existencias
1
₡494,44
10
₡353,92
25
₡297,71
100
₡280,01
3 000
₡227,44
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₡250,86
6 000
₡217,03
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1200T038F0200ABXUMA1
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
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₡1 530,17
10
₡1 145,02
25
₡988,88
100
₡942,04
3 000
₡759,88
6 000
Ver
500
₡858,77
1 000
₡791,11
6 000
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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6EDL04I06NTXUMA1
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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10
₡1 426,08
25
₡1 280,34
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₡1 176,25
1 000
₡978,47
5 000
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250
₡1 119,00
500
₡1 087,77
5 000
₡952,45
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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6EDL04I06PTXUMA1
Infineon Technologies
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726-6EDL04I06PTXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1 369 En existencias
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10
₡1 035,73
25
₡931,63
100
₡853,56
1 000
₡728,65
2 000
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250
₡796,31
500
₡775,49
2 000
₡718,24
5 000
₡707,83
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Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
BAT 17-04W H6327
Infineon Technologies
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726-BAT1704WH6327
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky RF DIODE
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1
₡119,71
10
₡71,82
100
₡61,41
500
₡56,73
3 000
₡53,09
9 000
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₡56,21
9 000
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24 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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BSD235CH6327XT
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726-BSD235CH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
138 043 En existencias
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1
₡348,71
10
₡240,46
100
₡152,50
500
₡94,20
3 000
₡60,37
6 000
Ver
1 000
₡70,78
6 000
₡53,09
9 000
₡46,32
24 000
₡37,99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
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BSS169H6327XT
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726-BSS169H6327XTSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
62 998 En existencias
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₡452,80
10
₡312,28
100
₡197,78
500
₡122,31
3 000
₡78,59
6 000
Ver
1 000
₡91,60
6 000
₡69,22
9 000
₡60,37
24 000
₡49,44
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ011NE2LS5IATMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ011NE2LS5IATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
4 930 En existencias
1
₡1 316,78
10
₡718,24
100
₡588,13
500
₡506,41
1 000
Ver
5 000
₡475,71
1 000
₡492,36
2 500
₡485,59
5 000
₡475,71
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1:
₡1 066,95
5 900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5 900 En existencias
1
₡1 066,95
10
₡513,18
100
₡447,08
500
₡364,33
1 000
Ver
5 000
₡299,27
1 000
₡340,38
2 500
₡318,52
5 000
₡299,27
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Mult.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
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₡1 087,77
4 550 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
4 550 En existencias
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₡1 087,77
10
₡692,22
100
₡465,82
500
₡377,34
1 000
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5 000
₡327,89
1 000
₡338,30
2 500
₡329,45
5 000
₡327,89
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