Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 40V 10A
RD3G01BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡942,04
21 246 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3G01BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 40V 10A
21 246 En existencias
1
₡942,04
10
₡598,54
100
₡400,76
500
₡315,92
2 500
₡267,52
5 000
Ver
1 000
₡288,86
5 000
₡257,63
10 000
₡248,78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
40 V
15 A
39 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
19.3 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3L01BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡942,04
11 783 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L01BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
11 783 En existencias
1
₡942,04
10
₡598,54
100
₡400,76
500
₡315,92
2 500
₡258,67
5 000
Ver
1 000
₡288,86
5 000
₡257,63
10 000
₡231,61
25 000
₡217,03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
60 V
10 A
84 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
15.2 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3L03BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 139,82
18 527 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L03BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
18 527 En existencias
1
₡1 139,82
10
₡728,65
100
₡491,84
500
₡391,39
2 500
₡323,21
5 000
Ver
1 000
₡358,60
5 000
₡322,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
60 V
35 A
41 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
RJ1L04BBGTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡2 269,23
56 En existencias
800 Se espera el 27/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RJ1L04BBGTL1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
56 En existencias
800 Se espera el 27/11/2026
1
₡2 269,23
10
₡1 493,74
100
₡1 051,34
500
₡895,20
800
₡895,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
RQ3L120BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1:
₡900,41
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L120BKFRATCB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
4 En existencias
1
₡900,41
10
₡572,51
100
₡382,02
500
₡300,83
3 000
₡240,46
6 000
Ver
1 000
₡274,29
6 000
₡234,73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
12 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.3 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 722,74
22 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
22 500 En pedido
Ver fechas
En pedido:
10 000 Se espera el 11/9/2026
12 500 Se espera el 20/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
1
₡1 722,74
10
₡1 077,36
100
₡775,49
500
₡629,76
1 000
₡614,15
2 500
₡572,51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
60 V
70 A
12.7 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
105 nC
- 55 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3G08BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 915,31
2 500 Se espera el 20/8/2026
N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2 500 Se espera el 20/8/2026
1
₡1 915,31
10
₡1 254,32
100
₡874,38
500
₡713,04
1 000
₡707,83
2 500
₡660,99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.9 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
145 nC
- 55 C
+ 175 C
142 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
RD3L04BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 061,75
2 364 En pedido
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L04BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2 364 En pedido
1
₡1 061,75
10
₡681,81
100
₡456,45
500
₡361,72
1 000
₡331,54
2 500
₡297,19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
13.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
53 W
Enhancement
Reel, Cut Tape