Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
SQD50N04-5m6_T4GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ416EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQJ476EP-T1_GE3
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3 040 En existencias
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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78-SQJA72EP-T1_GE3
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1 907 En existencias
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PowerPAK-SO-8-4
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
SQM100N04-2M7_GE3
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78-SQM100N04-2M7_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
357 En existencias
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SMD/SMT
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AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQD100N04-3M6_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SQD100N04-3M6_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
899 En existencias
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₡392,43
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2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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100 A
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Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
494 En existencias
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
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1.7 V
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150 W
Enhancement
TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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70 968 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
70 968 En pedido
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7 968 Se espera el 29/10/2026
63 000 Se espera el 9/11/2026
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1
₡588,13
10
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500
₡186,85
1 000
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3 000
₡146,25
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
40 V
8 A
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- 20 V, 20 V
1.5 V
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- 55 C
+ 175 C
5 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 972,56
16 000 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
16 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡1 972,56
10
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100
₡900,41
500
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2 000
₡692,22
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Min.: 1
Mult.: 1
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2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8x8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 988,18
70 657 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
70 657 En pedido
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En pedido:
17 857 Se espera el 4/11/2026
19 200 Se espera el 6/11/2026
33 600 Se espera el 14/1/2028
Plazo de entrega de fábrica:
45 Semanas
1
₡1 988,18
10
₡1 431,28
100
₡1 004,50
500
₡796,31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 600
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
95 A
15.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
SQR70090ELR_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 280,34
1 977 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SQR70090ELR_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
1 977 Se espera el 17/9/2026
1
₡1 280,34
10
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₡562,10
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₡475,71
1 000
₡421,06
2 000
₡398,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
86 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡567,31
23 279 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
23 279 Se espera el 3/9/2026
Embalaje alternativo
1
₡567,31
10
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Ver
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6 000
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9 000
₡124,91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
100 V
1.6 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
2.3 nC
- 55 C
+ 175 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQA300CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡353,92
47 750 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SQA300CEJW
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
47 750 En pedido
1
₡353,92
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₡106,70
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Ver
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₡64,02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK SC-70W-6
N-Channel
1 Channel
30 V
5.63 A
54 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
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13.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
SQA442EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡520,47
21 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SQA442EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
1 Channel
60 V
9 A
32 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
9.7 nC
- 55 C
+ 175 C
13.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8-4
N-Channel
1 Channel
100 V
26 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
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SQ2348ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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781-SQ2348ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
8 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.95 nC
- 55 C
+ 175 C
3 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQD50034EL_GE3
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78-SQD50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJA46EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQJA46EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
60 A
2.45 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
SQM200N04-1M8_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQM200N04-1M8_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
310 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
SQM50N04-4M0L_GE3
Vishay / Siliconix
800:
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM50N04-4M0L_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel