MMBFx N Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated MMBFx N-channel Enhance mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The MMBFx MOSFETs provide low gate threshold voltage, input capacitance, and input/output leakage. These MOSFETs from Diodes Incorporated are ideal for high-efficiency power management applications including power management functions and analog switches.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 3 448En existencias
10 000Se espera el 7/7/2027
Cinta cortada
₡208,19
₡92,64
₡81,19
₡74,95
Ver
Envase tipo carrete
₡34,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 70 V 500 mA 5.3 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 542En existencias
42 000Se espera el 14/5/2027
Cinta cortada
₡249,82
₡111,38
₡97,33
₡69,74
₡61,41
Envase tipo carrete
₡47,36
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel