CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

Resultados: 53
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
849En existencias
1 800Se espera el 3/6/2027
Cinta cortada
₡5 928,10
₡3 315,36
₡3 185,25
₡3 013,49
Envase tipo carrete
₡3 013,49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1 758En existencias
Cinta cortada
₡4 934,01
₡2 784,49
₡2 565,89
₡2 477,42
₡2 279,64
Envase tipo carrete
₡2 279,64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1 818En existencias
1 800En pedido
Cinta cortada
₡4 340,68
₡2 414,96
₡2 217,18
₡2 149,52
₡1 920,52
Envase tipo carrete
₡1 920,52
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1 727En existencias
Cinta cortada
₡3 752,56
₡2 009,00
₡1 837,24
₡1 743,56
₡1 644,67
Envase tipo carrete
₡1 644,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2 042En existencias
Cinta cortada
₡4 220,97
₡2 284,84
₡2 097,48
₡2 009,00
₡1 795,61
Envase tipo carrete
₡1 795,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Hoja de datos
238En existencias
240Se espera el 30/11/2026
₡13 412,39
₡8 514,81
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Hoja de datos
718En existencias
₡7 754,93
₡4 361,50
₡4 273,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
999En existencias
₡5 496,11
₡3 580,80
₡3 237,29
₡2 727,24
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
627En existencias
720Se espera el 19/11/2026
₡4 720,62
₡2 758,47
₡2 550,28
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
3 016En existencias
15 840En pedido
₡6 885,76
₡4 148,11
₡3 612,03
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
14En existencias
3 600Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
₡10 003,34
₡7 010,67
₡6 594,30
₡5 876,05
₡5 563,78
Envase tipo carrete
₡5 490,91
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
15En existencias
1 440En pedido
₡9 326,74
₡5 313,95
₡5 032,90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
199En existencias
₡6 724,41
₡3 726,53
₡3 549,57
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
6En existencias
720Se espera el 7/10/2027
₡18 231,90
₡12 720,17
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
185En existencias
240Se espera el 5/8/2027
₡5 235,88
₡2 826,13
₡2 612,74
₡2 560,69
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Hoja de datos
294En existencias
240Se espera el 3/6/2027
₡4 803,90
₡3 081,16
₡2 368,12
₡2 279,64
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
10En existencias
Cinta cortada
₡3 898,29
₡2 316,07
₡1 962,15
₡1 748,76
₡1 597,83
Envase tipo carrete
₡1 597,83
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2En existencias
240En pedido
₡4 231,38
₡2 238,00
₡2 055,84
₡1 930,93
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
4 000En pedido
Cinta cortada
₡9 899,25
₡7 390,61
₡6 391,32
₡6 053,01
₡5 730,32
Envase tipo carrete
₡5 730,32
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
3 972Se espera el 24/6/2027
Cinta cortada
₡4 944,42
₡3 377,82
₡2 789,69
₡2 487,82
₡2 347,30
Envase tipo carrete
₡2 347,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Hoja de datos
2 313En pedido
₡7 952,71
₡5 313,95
₡4 611,32
₡4 403,14
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
15 600Se espera el 17/6/2027
₡5 954,12
₡3 351,80
₡3 008,29
₡2 888,58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2 000Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
₡4 907,99
₡2 680,40
₡2 461,80
₡2 435,78
₡2 295,25
Envase tipo carrete
₡2 149,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Hoja de datos
2 862En pedido
₡4 694,60
₡2 508,64
₡2 264,02
₡2 185,95
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Hoja de datos
719En pedido
₡14 328,41
₡10 169,89
₡9 248,67
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC