SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
GaN
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: SGT
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico: 5 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Peso de la unidad: 154 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

En existencias: 840

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡3 383,03 ₡3 383,03
₡1 790,40 ₡17 904,00
₡1 634,26 ₡163 426,00
₡1 514,55 ₡757 275,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡1 233,50 ₡3 700 500,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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