100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high current capability. These devices offer an RDS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.  

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4 798En existencias
400En pedido
₡3 913,90
₡2 102,68
₡1 925,72
₡1 733,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1 931En existencias
₡4 595,71
₡2 586,71
₡2 206,77
₡2 081,86
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
14 090En existencias
₡5 157,81
₡3 138,41
₡2 862,56
₡2 633,55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)
Hoja de datos
674En existencias
₡10 159,48
₡7 036,69
₡5 865,65
₡5 366,00
₡4 949,63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1 531En existencias
1 200Se espera el 31/12/2026
₡5 829,21
₡3 252,91
₡3 003,09
₡2 945,83
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2 278En existencias
3 600En pedido
₡4 392,73
₡3 091,56
₡2 503,44
₡2 217,18
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
6 887En existencias
800Se espera el 29/10/2026
₡3 336,18
₡2 185,95
₡1 613,44
₡1 426,08
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
759En existencias
800Se espera el 21/10/2026
₡2 269,23
₡1 488,53
₡1 108,59
₡926,43
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2 700En existencias
₡4 413,55
₡2 409,75
₡2 217,18
₡1 967,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Hoja de datos
33 408En pedido
₡2 092,27
₡1 155,43
₡988,88
₡853,56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
₡7 047,10
₡5 256,70
₡4 158,52
₡4 033,61
₡3 908,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube