DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
20En existencias
₡16 842,26
₡11 346,15
₡10 367,67
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
17En existencias
₡16 842,26
₡11 346,15
₡10 513,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
20En existencias
₡19 907,80
₡13 729,88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
31En existencias
₡10 039,78
₡6 042,60
₡5 673,07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole To-247-3 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
78En existencias
₡6 526,64
₡3 700,51
₡3 424,66
₡3 325,77
₡3 190,45
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
60En existencias
₡8 051,60
₡4 637,35
₡4 309,45
₡4 283,43
₡4 163,72
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
87En existencias
₡6 526,64
₡3 700,51
₡3 695,30
₡3 325,77
₡2 982,27
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
60En existencias
₡8 051,60
₡4 637,35
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Hoja de datos
120Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
₡20 110,78
₡13 157,37
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Hoja de datos
100Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
₡5 355,59
₡3 518,35
₡2 971,86
₡2 831,33
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement