Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
1 238 En existencias
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Si
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726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
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TSDSON-8
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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₡288,34
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Fin de vida útil
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
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Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
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Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1 953 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
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OptiMOS
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N.º de artículo de Mouser
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Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
6 753 En existencias
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StrongIRFET
Tube
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3 837 En existencias
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5 000 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC118N10NS G
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
4 302 En existencias
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Ver
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₡338,82
Comprar
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5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
3 368 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
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IRFH8318TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
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IRFH8324TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
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PQFN-8
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90 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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160 A
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85 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC265N10LSF G
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726-BSC265N10LSFG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
2 155 En existencias
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TDSON-8
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100 V
40 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 150 C
78 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel