MOSFET de potencia 150 V OptiMOS™ 6

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low RDS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower RDS(on), 20% lower FOMg, and 17% lower FOMgd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
7 710En existencias
Cinta cortada
₡2 945,83
₡1 530,17
₡1 394,85
₡1 233,50
₡1 212,68
Envase tipo carrete
₡1 087,77
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
8 816En existencias
Cinta cortada
₡2 550,28
₡1 316,78
₡1 197,07
₡1 035,73
Envase tipo carrete
₡978,47
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Hoja de datos
1 646En existencias
₡3 096,77
₡1 629,06
₡1 483,33
₡1 415,67
₡1 269,94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
1 030En existencias
Cinta cortada
₡2 784,49
₡1 446,89
₡1 316,78
₡1 259,53
Envase tipo carrete
₡1 165,84
₡1 092,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
5 893En existencias
Cinta cortada
₡2 107,88
₡1 072,16
₡968,07
₡801,52
Envase tipo carrete
₡754,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
1 482En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡848,36
₡765,08
₡645,38
Envase tipo carrete
₡582,92
₡562,10
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
1 191En existencias
Cinta cortada
₡3 039,52
₡1 592,62
₡1 452,10
₡1 311,57
Envase tipo carrete
₡1 228,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
1 734En existencias
Cinta cortada
₡2 420,16
₡1 243,91
₡1 129,41
₡968,07
Envase tipo carrete
₡910,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
Hoja de datos
53En existencias
5 400En pedido
Cinta cortada
₡3 367,41
₡1 816,42
₡1 629,06
₡1 504,15
Envase tipo carrete
₡1 405,26
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
Hoja de datos
59En existencias
20 000Se espera el 8/4/2027
Cinta cortada
₡1 301,16
₡634,97
₡582,92
₡501,21
₡468,94
Envase tipo carrete
₡398,16
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Hoja de datos
21 819En pedido
₡2 009,00
₡1 020,11
₡926,43
₡718,24
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
1 000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
₡1 800,81
₡1 176,25
₡822,34
₡692,22
Envase tipo carrete
₡598,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape