CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Resultados: 11
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 565En existencias
₡21 037,21
₡15 202,79
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE 190En existencias
₡30 395,18
₡25 924,38
₡21 385,92
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE 224En existencias
₡17 763,48
₡14 219,11
₡12 298,60
₡11 642,81
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE 230En existencias
₡9 925,28
₡7 562,36
₡6 297,63
₡5 615,82
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE 414En existencias
₡7 806,98
₡4 392,73
₡4 309,45
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET 240En existencias
Cinta cortada
₡16 202,09
₡12 970,00
₡11 216,03
Envase tipo carrete
₡11 216,03
₡10 617,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 109En existencias
₡9 337,15
₡5 355,59
₡5 001,67
₡4 689,39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 342En existencias
₡7 905,87
₡6 021,78
₡5 017,29
₡4 465,59
₡4 174,13
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 67En existencias
240Se espera el 5/11/2026
₡11 075,50
₡8 270,20
₡7 151,19
₡6 771,25
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 126En existencias
240Se espera el 5/11/2026
₡9 056,10
₡6 901,37
₡5 751,14
₡5 121,38
₡4 783,08
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
1 440En pedido
₡6 901,37
₡5 142,20
₡4 288,63
₡3 336,18
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC