1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Resultados: 22
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
25En existencias
₡8 546,04
₡7 879,85
₡6 854,53
₡6 563,07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
56En existencias
₡7 073,12
₡6 526,64
₡5 678,28
₡5 433,66
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
95En existencias
₡4 970,44
₡4 585,30
₡3 986,76
₡3 820,22
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
120En existencias
₡4 621,73
₡4 262,61
₡3 710,92
₡3 554,78
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
97En existencias
₡3 804,60
₡3 513,14
₡3 055,13
₡2 925,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
67En existencias
₡3 268,52
₡3 013,49
₡2 623,15
₡2 513,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
₡6 073,83
₡5 600,21
₡4 876,76
₡4 668,57
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
32Se espera el 22/3/2027
₡8 473,18
₡7 812,19
₡6 797,28
₡6 505,82
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 20 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
32Se espera el 9/11/2026
₡6 969,03
₡6 427,75
₡5 589,80
₡5 355,59
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 25 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
96Se espera el 9/11/2026
₡5 938,51
₡5 475,30
₡4 767,46
₡4 559,28
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 30 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
32En pedido
₡4 788,28
₡4 413,55
₡3 841,03
₡3 679,69
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 40 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
128Se espera el 9/11/2026
₡4 449,98
₡4 106,47
₡3 570,39
₡3 419,46
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 45 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
32En pedido
₡3 617,23
₡3 336,18
₡2 898,99
₡2 779,29
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 60 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm, QDPAK
Hoja de datos
32En pedido
₡3 055,13
₡2 820,92
₡2 451,39
₡2 352,50
Min.: 1
Mult.: 1
QDPAK 1.2 kV 80 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
₡6 859,73
₡5 969,74
₡5 714,71
Min.: 60
Mult.: 30
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡6 505,82
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 20 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡5 355,59
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 25 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡4 559,28
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 30 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡3 679,69
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 40 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡3 419,46
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 45 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡2 779,29
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 60 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm, QDPAK, Full Reel
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
₡2 352,50
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
QDPAK 1.2 kV 80 mOhms