Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A
Hoja de datos
2 409En existencias
Cinta cortada
₡1 769,58
₡884,79
₡754,67
₡650,58
₡593,33
Envase tipo carrete
₡593,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
25 771En existencias
Cinta cortada
₡1 493,74
₡739,06
₡666,20
₡536,08
₡516,30
Envase tipo carrete
₡475,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
2 941En existencias
Cinta cortada
₡1 639,47
₡817,13
₡739,06
₡593,33
Ver
Envase tipo carrete
₡536,08
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
7 786En existencias
Cinta cortada
₡1 894,49
₡952,45
₡863,97
₡702,63
Envase tipo carrete
₡655,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
16 682En existencias
Cinta cortada
₡1 363,62
₡671,40
₡603,74
₡480,91
Ver
Envase tipo carrete
₡418,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
1 831En existencias
Cinta cortada
₡1 910,11
₡962,86
₡869,18
₡707,83
Envase tipo carrete
₡660,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
Hoja de datos
747En existencias
Cinta cortada
₡3 013,49
₡1 582,21
₡1 441,69
₡1 301,16
Envase tipo carrete
₡1 228,30
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)
Hoja de datos
3 234En existencias
Cinta cortada
₡1 675,90
₡843,15
₡744,27
₡603,74
Ver
Envase tipo carrete
₡455,41
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 0.74 mOhms 20 V 3 V 107 nC + 175 C 254 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL
Hoja de datos
1 050En existencias
Cinta cortada
₡1 483,33
₡952,45
₡655,79
₡530,87
Envase tipo carrete
₡478,31
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT S-TOGL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.54 mOhms 20 V 3 V 61 nC + 175 C 197 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
Hoja de datos
4 170En existencias
35 000En pedido
Cinta cortada
₡1 311,57
₡645,38
₡577,72
₡493,40
₡469,46
Envase tipo carrete
₡397,12
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
Hoja de datos
15 034En existencias
Cinta cortada
₡1 348,01
₡869,18
₡593,33
₡473,10
Ver
Envase tipo carrete
₡369,01
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
Hoja de datos
18 060Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
₡1 936,13
₡1 259,53
₡884,79
₡739,06
₡697,42
Envase tipo carrete
₡645,38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
10 000Se espera el 19/4/2027
Cinta cortada
₡1 597,83
₡926,43
₡707,83
₡577,72
₡567,31
Envase tipo carrete
₡502,25
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
9 681Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
₡1 956,95
₡988,88
₡895,20
₡728,65
₡702,63
Envase tipo carrete
₡681,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.59mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)
Hoja de datos
5 000Se espera el 18/12/2026
Cinta cortada
₡1 842,45
₡926,43
₡837,95
₡681,81
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Envase tipo carrete
₡541,28
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 478 A 0.59 mOhms 20 V 3 V 61 nC + 175 C 272 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=210W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega 24 Semanas
Cinta cortada
₡1 748,76
₡874,38
₡791,11
₡640,17
Ver
Envase tipo carrete
₡582,92
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel