Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

Resultados: 16
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14 862En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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25 796En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3 344En existencias
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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747En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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16 682En existencias
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1 831En existencias
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A
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2 435En existencias
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Si Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3 930En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
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15 034En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
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1 556En existencias
25 000En pedido
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
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20 000En pedido
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=210W F=1MHZ
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10 000Se espera el 18/1/2027
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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9 681Se espera el 7/8/2026
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.59mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)
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5 000Se espera el 14/9/2026
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 478 A 0.59 mOhms 20 V 3 V 61 nC + 175 C 272 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)
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5 000Se espera el 3/8/2026
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 0.74 mOhms 20 V 3 V 107 nC + 175 C 254 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL
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1 500Se espera el 3/8/2026
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Si SMD/SMT S-TOGL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.54 mOhms 20 V 3 V 61 nC + 175 C 197 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel