Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 30V 80A 2 319En existencias
Cinta cortada
₡1 894,49
₡952,45
₡863,97
₡702,63
₡697,42
Envase tipo carrete
₡650,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A 2 500En existencias
Cinta cortada
₡1 504,15
₡744,27
₡671,40
₡541,28
Envase tipo carrete
₡488,72
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A 2 478En existencias
Cinta cortada
₡1 285,55
₡629,76
₡567,31
₡450,20
₡436,15
Envase tipo carrete
₡386,71
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A 1 759En existencias
Cinta cortada
₡1 301,16
₡634,97
₡572,51
₡454,89
₡441,88
Envase tipo carrete
₡391,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN3333 P-CH 40V 40A 178En existencias
6 000En pedido
Cinta cortada
₡1 316,78
₡723,45
₡567,31
₡445,52
₡430,95
Envase tipo carrete
₡366,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel