Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ5439E_R2_00201 Panjit 1: ₡650,58 2 279En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5439E_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5439ER200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	2 279En existencias	Cinta cortada ₡650,58 ₡303,43 ₡269,08 ₡208,71 Envase tipo carrete ₡163,95 Ver ₡202,98 ₡161,34 ₡150,41	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	P-Channel	1 Channel	30 V	30 A	18.8 mOhms	25 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ4433EP_R2_00201 Panjit 5 000: ₡164,47 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4433EP_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4433EPR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡164,47 ₡161,34	Min.: 5 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	P-Channel	1 Channel	30 V	62 A	8.8 mOhms	25 V	2.5 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	54.3 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ4435EP_R2_00201 Panjit 1: ₡582,92 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4435EP_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4435EPR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada ₡582,92 ₡269,60 ₡238,89 ₡184,24 Envase tipo carrete ₡135,84 Ver ₡179,04 ₡167,59 ₡129,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	P-Channel	1 Channel	30 V	41 A	12.5 mOhms	25 V	2.5 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	33.8 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ4437EP_R2_00201 Panjit 5 000: ₡123,35 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4437EP_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4437EPR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡123,35 ₡109,30 ₡107,74	Min.: 5 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	P-Channel	1 Channel	30 V	38 A	15.4 mOhms	25 V	2.5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ4439EP_R2_00201 Panjit 5 000: ₡112,94 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4439EP_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4439EPR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡112,94 ₡99,93 ₡96,81	Min.: 5 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	P-Channel	1 Channel	30 V	30 A		25 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ5433E_R2_00201 Panjit 1: ₡843,15 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ5433E_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5433ER200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada ₡843,15 ₡398,16 ₡354,96 ₡278,45 Envase tipo carrete ₡222,24 ₡215,47	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	P-Channel	1 Channel	30 V	68 A	8.4 mOhms	25 V	2.5 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	62.5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ5435E_R2_00201 Panjit 3 000: ₡205,06 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ5435E_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5435ER200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡205,06 ₡198,30 ₡183,20	Min.: 3 000 Mult.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	P-Channel	1 Channel	30 V	43 A	12.1 mOhms	25 V	2.5 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	36 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET PJQ5437E_R2_00201 Panjit 3 000: ₡184,24 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ5437E_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5437ER200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx43 30v p channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡184,24 ₡176,44 ₡163,43 ₡161,34	Min.: 3 000 Mult.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	P-Channel	1 Channel	30 V	38 A	15 mOhms	25 V	2.5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	Reel

PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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