40V TrenchT4 Power MOSFETs

IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs are easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages. The series offers high current handling capability and 175°C maximum operating temperature. These avalanche-rated MOSFETs feature low RDS(on) and a fast intrinsic rectifier. Typical applications for IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs include synchronous buck converters, high current switching power supplies, battery-powered electric motors, resonant-mode power supplies, DC-DC converters, offline uninterruptible power supplies (UPS), primary-side switches, and much more.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
₡3 128,00
₡2 050,63
₡1 524,96
₡1 275,14
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
₡3 388,23
₡2 222,39
₡1 629,06
₡1 452,10
₡1 306,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
₡3 388,23
₡2 222,39
₡1 629,06
₡1 452,10
₡1 306,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
₡3 565,19
₡2 336,89
₡1 717,54
₡1 524,96
₡1 374,03
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
₡3 773,37
₡2 524,26
₡2 024,61
₡1 800,81
₡1 618,65
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
₡2 940,63
₡1 925,72
₡1 431,28
₡1 197,07
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
₡2 503,44
₡1 639,47
₡1 217,89
₡1 020,11
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
₡3 096,77
₡2 029,82
₡1 488,53
₡1 327,19
₡1 176,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
₡6 943,01
₡5 173,43
₡4 309,45
₡3 841,03
₡3 643,26
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube